Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы IGBT-транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 38 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В		 Рабочий ток VCE(sat)
В		 td(on) (тип.)
нс		 tr (тип.)
нс		 td(off) (тип.)
нс		 tf (тип.)
нс		 EON (тип.)
мДж		 EOFF (тип.)
мДж		 PD
Вт		 FWD TA
°C		 Корпус
IC
А		 При TC
°C
                                     
IXGQ50N60C4D1 IGBT-транзистор, 600 В, 36А - IXYS IGBT
 600 36 110 1.95 30 45 210 96 1.1 0.9 290 Да -55 ... 150 TO-3P
IXGQ50N60B4D1 IGBT-транзистор, 600 В, 36А IXYS IGBT
 600 36 110 1.43 31 45 280 220 0.94 1.9 290 Да -55 ... 150 TO-3P
IXGQ20N120B IGBT-транзистор, 1200 В, 40А IXYS IGBT
 1200 20 110 2.9 25 18 270 360 1.4 4.5 190 Нет -55 ... 150 TO-3P
IXGQ20N120BD1 IGBT-транзистор, 1200 В, 40А IXYS IGBT
 1200 20 110 2.9 25 18 270 360 1.4 4.5 190 Да -55 ... 150 TO-3P
IXSQ10N60B2D1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 20А IXYS IGBT
 600 10 110 2.5 30 30 260 270 0.32 0.79 100 Да -55 ... 150 TO-3P
IXSQ20N60B2D1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 35А, работа в режиме короткого замыкания - IXYS IGBT
 600 35 110 2.5 - - - 126 - 0.97 - Да -55 ... 150 TO-3P
IXGT72N60A3 IGBT-транзистор, 600 В, 72А, ультранизкий Vsat для частоты коммутации выше 5кГц IXYS IGBT
 600 72 110 1.35 29 32 510 375 2.6 6.5 540 Нет -55 ... 150 TO-268
IXGT32N100A3 IGBT-транзистор, 1000 В, 75А IXYS IGBT
 1000 32 110 1.9 52 23 400 770 4.2 13 300 Нет -55 ... 150 TO-268
IXBT2N250 Высоковольтный IGBT транзистор 2500В, 2А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 2500 2 110 3.15 30 280 74 178 - - 32 Да -55 ... 150 TO-268
IXGT32N170A IGBT-транзистор, 1700 В, 32А, технология NPT IXYS IGBT
 1700 21 90 4 48 59 300 70 4 2.4 350 Нет -55 ... 150 TO-268
IXGT32N120A3 IGBT-транзистор, 1200 В, 32А IXYS IGBT
 1200 32 110 2.35 39 200 140 1240 - - 300 Нет -55 ... 150 TO-268
IXGT40N60B IGBT-транзистор, 600 В, 75А IXYS IGBT
 600 40 110 1.6 25 35 300 270 0.4 4 250 Нет -55 ... 150 TO-268
IXGT6N170 IGBT-транзистор, 1700 В, 12А, технология NPT IXYS IGBT
 1700 6 90 3 45 40 300 300 0.5 2 75 Нет -55 ... 150 TO-268
IXGT60N60C3D1 IGBT-транзистор, 600 В, 60А, частота коммутации 40-100 кГц IXYS IGBT
 600 60 110 2.2 21 33 112 86 1.25 0.8 380 Да -55 ... 150 TO-268
IXGT30N60BU1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 60А IXYS IGBT
 600 30 110 1.8 25 35 200 230 1 2.5 200 Да -55 ... 150 TO-268
IXGT32N90B2 IGBT-транзистор, 900 В, 51А IXYS IGBT
 900 32 110 2.2 20 22 360 330 0.5 5.75 300 Нет -55 ... 150 TO-268
IXGT28N60B IGBT-транзистор, 600 В, 40 А IXYS IGBT
 600 28 90 2 15 25 400 400 0.2 3 150 Нет -55 ... 150 TO-268
IXBT32N300 Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 32А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 3000 32 110 2.8 58 515 165 630 - - 400 Да -55 ... 150 TO-268
IXGT24N170AH1 IGBT-транзистор, 1700 В, 24А, технология NPT IXYS IGBT
 1700 16 90 4.5 23 31 360 96 3.6 1.47 250 Да -55 ... 150 TO-268
IXBT6N170 Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 6А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1700 6 90 2.84 35 69 100 600 - - 75 Да -55 ... 150 TO-268
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 38 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники