Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы IGBT-транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 38 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В		 Рабочий ток VCE(sat)
В		 td(on) (тип.)
нс		 tr (тип.)
нс		 td(off) (тип.)
нс		 tf (тип.)
нс		 EON (тип.)
мДж		 EOFF (тип.)
мДж		 PD
Вт		 FWD TA
°C		 Корпус
IC
А		 При TC
°C
                                     
IXGT22N170 IGBT-транзистор, 1700 В, 40А, технология NPT IXYS IGBT
 1700 22 90 2 50 55 - - 2 - 210 Нет -55 ... 150 TO-268
IXGH22N170 IGBT-транзистор, 1700 В, 40А, технология NPT IXYS IGBT
 1700 22 90 2 50 55 - - 2 - 210 Нет -55 ... 150 TO-247AD
IXRH40N120 IGBT транзистор ±1200В, 55А, блокировка напряжения обратной полярности IXYS IGBT
 1200 35 90 2.3 31 54 184 24 3 0.7 300 Да -55 ... 150 TO-247AD
IXXH110N65C4 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 110 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 110 110 2.35 35 46 143 30 2.3 0.6 880 Нет -55 ... 175 TO-247AD
IXXN110N65C4H1 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 110 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 110 110 2.35 35 46 143 30 2.3 0.6 750 Да -55 ... 175 SOT-227 B
IXEN60N120D1 IGBT-транзистор, 1200 В, 100А, низкое напряжение насыщения, технология NPT IXYS IGBT
 1200 65 90 2.1 80 50 680 30 7.2 4.8 445 Да -55 ... 150 SOT-227 B
IXEN60N120 IGBT-транзистор, 1200 В, 100А, низкое напряжение насыщения, технология NPT IXYS IGBT
 1200 65 90 2.1 80 50 680 30 7.2 4.8 445 Нет -55 ... 150 SOT-227 B
IXER60N120 IGBT-транзистор, 1200 В, 95А, низкое напряжение насыщения, технология NPT IXYS IGBT
 1200 60 90 2.1 80 50 680 30 7.2 4.8 375 Нет -55 ... 150 ISOPLUS247
IXXH60N65C4 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 60 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 60 110 2.2 37 78 133 30 3.2 0.83 455 Нет -55 ... 175 TO-247AD
IXXK160N65C4 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 160 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 160 110 2.1 52 67 197 30 3.5 1.3 940 Нет -55 ... 175 TO-264
IXXX160N65C4 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 160 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 160 110 2.1 52 67 197 30 3.5 1.3 940 Нет -55 ... 175 PLUS247
IXRA15N120 IGBT транзистор ±1200В, 25А, блокировка напряжения обратной полярности IXYS IGBT
 1200 15 90 2.5 22 18 210 32 1.1 0.13 300 Да -55 ... 150 TO-263AB
IXRP15N120 IGBT транзистор ±1200В, 25А, блокировка напряжения обратной полярности IXYS IGBT
 1200 15 90 2.5 22 18 210 32 1.1 0.13 300 Да -55 ... 150 TO-220AB
IXYH40N120C3D1 IGBT-транзистор, 1200 В, 40 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 кГц IXYS IGBT
 1200 40 90 4 24 60 125 38 3.9 0.66 480 Да -55 ... 150 TO-247AD
IXBH40N160 Высоковольтный IGBT транзистор 1600В, 33А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1600 20 90 6.2 200 60 270 40 - - 350 Да -55 ... 150 TO-247
IXBF40N160 Высоковольтный IGBT транзистор 1600В, 28А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 1600 16 90 6.2 200 60 300 40 - - 250 Нет -55 ... 150 ISOPLUS_i4
IXGH10N170A IGBT-транзистор, 1700 В, 10А, технология NPT IXYS IGBT
 1700 5 90 4.5 48 59 200 40 1.2 0.6 140 Нет -55 ... 150 TO-247AD
IXGT10N170A IGBT-транзистор, 1700 В, 10А, технология NPT IXYS IGBT
 1700 5 90 4.5 48 59 200 40 1.2 0.6 140 Нет -55 ... 150 TO-268
IXGT6N170A IGBT-транзистор, 1700 В, 6А, технология NPT IXYS IGBT
 1700 3 110 7 48 43 230 41 0.62 0.25 75 Нет -55 ... 150 TO-268
IXGH6N170A IGBT-транзистор, 1700 В, 6А, технология NPT IXYS IGBT
 1700 3 110 7 48 43 230 41 0.62 0.25 75 Нет -55 ... 150 TO-247
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 38 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники