Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы IGBT-транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 38 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В		 Рабочий ток VCE(sat)
В		 td(on) (тип.)
нс		 tr (тип.)
нс		 td(off) (тип.)
нс		 tf (тип.)
нс		 EON (тип.)
мДж		 EOFF (тип.)
мДж		 PD
Вт		 FWD TA
°C		 Корпус
IC
А		 При TC
°C
                                     
IXXX160N65C4 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 160 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 160 110 2.1 52 67 197 30 3.5 1.3 940 Нет -55 ... 175 PLUS247
IXXK110N65B4H1 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 110 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 110 110 2.1 38 46 156 85 2.2 1.05 880 Да -55 ... 175 TO-264
IXXH30N60C3D1 IGBT-транзистор, 600 В, 30 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...60 кГц IXYS IGBT
 600 30 110 1.85 22 35 88 78 1.13 0.4 270 Да -55 ... 175 TO-247AD
IXXX110N65B4H1 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 110 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 110 110 2.1 38 46 156 85 2.2 1.05 880 Да -55 ... 175 PLUS247
IXSP15N120B IGBT-транзистор, 1200 В, 30А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 1200 15 90 3 30 25 265 298 1.1 3.1 150 Нет -55 ... 150 TO-220AB
IXGA12N100U1 IGBT-транзистор, 1000 В, 24А IXYS IGBT
 1000 12 90 3.5 100 200 900 1250 1.1 10 100 Да -55 ... 150 TO-263
IXGP16N60B2D1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 16 А IXYS IGBT
 600 16 110 2.3 17 20 140 125 0.26 0.38 150 Да -55 ... 150 TO-220AB
IXA40PG1200DHGLB IGBT-транзистор, 1200 В, 63 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 1200 45 80 1.85 70 40 250 100 3.8 4.1 230 Да -55 ... 150 SMPD-X
IXGK35N120BD1 IGBT-транзистор, 1200 В, 70А IXYS IGBT
 1200 35 90 3.3 55 31 300 360 2.6 8 350 Да -55 ... 150 TO-264AA
IXGT72N60A3 IGBT-транзистор, 600 В, 72А, ультранизкий Vsat для частоты коммутации выше 5кГц IXYS IGBT
 600 72 110 1.35 29 32 510 375 2.6 6.5 540 Нет -55 ... 150 TO-268
IXGX32N170H1 IGBT-транзистор, 1700 В, 75А, технология NPT IXYS IGBT
 1700 32 90 2.5 48 42 360 560 6 22 350 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
IXGN72N60A3 IGBT-транзистор, 600 В, 68А IXYS IGBT
 600 68 110 1.35 29 32 510 375 2.6 6.5 360 Нет -55 ... 150 SOT-227 B
IXA12IF1200PB IGBT-транзистор, 1200 В, 20 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 1200 13 100 1.8 70 40 250 100 1.1 1.1 85 Да -55 ... 150 TO-220
IXGV25N250S IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 60А IXYS IGBT
 2500 25 110 2.9 68 233 209 200 - - 250 Нет -55 ... 150 PLUS220SMD
IXGT32N100A3 IGBT-транзистор, 1000 В, 75А IXYS IGBT
 1000 32 110 1.9 52 23 400 770 4.2 13 300 Нет -55 ... 150 TO-268
IXGP30N60B4D1 IGBT-транзистор, 600 В, 30А IXYS IGBT
 600 30 110 1.5 20 33 288 223 0.75 1.5 190 Да -55 ... 150 TO-220
IXGX82N120A3 IGBT-транзистор, 1200 В, 82А IXYS IGBT
 1200 82 110 1.83 32 77 340 1250 6.7 22.5 1250 Нет -55 ... 150 PLUS247
IXGT40N60B IGBT-транзистор, 600 В, 75А IXYS IGBT
 600 40 110 1.6 25 35 300 270 0.4 4 250 Нет -55 ... 150 TO-268
IXSK30N60BD1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 55А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 600 30 90 2.7 30 35 270 250 0.5 2.5 200 Да -55 ... 150 TO-264
IXGH48N60A3 IGBT-транзистор, 600 В, 48А IXYS IGBT
 600 48 110 1.18 24 30 545 380 1.97 5.6 300 Нет -55 ... 150 TO-247
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 38 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники