Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IXGQ20N120BD1 IGBT-транзистор, 1200 В, 40А

 

Блок-схема

IXGQ20N120BD1, IGBT-транзистор, 1200 В, 40А

Группа компонентов

IGBT

Основные параметры

VCES,В 1200
Рабочий ток: IC,А 20
Рабочий ток: При TC,°C 110
VCE(sat),В 2.9
td(on) (тип.),нс 25
tr (тип.),нс 18
td(off) (тип.),нс 270
tf (тип.),нс 360
EON (тип.),мДж 1.4
EOFF (тип.),мДж 4.5
PD,Вт 190
FWD Да
TA,°C от -55 до 150
Корпус TO-3P
Datasheet
 
IXGQ20N120B (598.7 Кб), 15.02.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXGQ20N120B IGBT-транзистор, 1200 В, 40А (598.7 Кб), 15.02.2012



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 880 		Дата публикации: 15.02.2012 10:56
Дата редактирования: 15.02.2012 10:56

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники