Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 87 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
STF25N10F7 N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 100 В, 25 А STMicroelectronics MOSFET
 N 1 100 - - - - 35 25 25 TO-220FP
STD25N10F7 N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 100 В, 25 А STMicroelectronics MOSFET
 N 1 100 - - - - 35 25 40 DPAK-3
STP25N10F7 N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 100 В, 25 А STMicroelectronics MOSFET
 N 1 100 - - - - 35 25 50 TO-220
STL110N10F7 N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 100 В, 21 А STMicroelectronics MOSFET
 N 1 100 - - - - 6 21 5 PowerFLAT
STL100N10F7 N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 100 В, 19 А STMicroelectronics MOSFET
 N 1 100 - - - - 7.3 19 5 PowerFLAT
STH315N10F7-6 N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 100 В, 180 А, автомобильный диапазон температур STMicroelectronics MOSFET
 N 1 100 - - - - 2.3 180 315 H2PAK-6
STP315N10F7 N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 100 В, 180 А, автомобильный диапазон STMicroelectronics MOSFET
 N 1 100 - - - - 2.7 180 - TO-220
STH315N10F7-2 N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 100 В, 180 А, автомобильный диапазон температур STMicroelectronics MOSFET
 N 1 100 - - - - 2.3 180 315 H2PAK-2
STP240N10F7 N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 100 В, 180 А STMicroelectronics MOSFET
 N 1 100 - - - - 3.2 180 - TO-220
STL90N10F7 N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 100 В, 16 А STMicroelectronics MOSFET
 N 1 100 - - - - 10.5 16 5 PowerFLAT
STL60N10F7 N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 100 В, 12 А STMicroelectronics MOSFET
 N 1 100 - - - - 16.5 12 5 PowerFLAT
STF110N10F7 N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 100 В, 110 А STMicroelectronics MOSFET
 N 1 100 - - - - 7 45 30 TO-220FP
STP110N10F7 N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 100 В, 110 А STMicroelectronics MOSFET
 N 1 100 - - - - 7 110 150 TO-220
STL40N10F7 N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 100 В, 10 А STMicroelectronics MOSFET
 N 1 100 - - - - 24 20 5 PowerFLAT
STH310N10F7-2 N-канальный силовой транзистор MOSFET на 100 В / 180 А, выполненные по технологии STripFET™ F7 STMicroelectronics MOSFET
 N 1 100 - - - - 2.3 180 315 H2PAK-2
STH310N10F7-6 N-канальный силовой транзистор MOSFET на 100 В / 180 А, выполненные по технологии STripFET™ F7 STMicroelectronics MOSFET
 N 1 100 - - - - 2.3 180 315 H2PAK-6
STD45N10F7 N-канальный силовой MOSFET транзистор, технология STripFET™VII, 100 В, 45 А STMicroelectronics MOSFET
 N 1 100 - - - - 18 45 60 DPAK-3
STI45N10F7 N-канальный силовой MOSFET транзистор, технология STripFET™VII, 100 В, 45 А STMicroelectronics MOSFET
 N 1 100 - - - - 18 45 60 I2PAK
STP45N10F7 N-канальный силовой MOSFET транзистор, технология STripFET™VII, 100 В, 45 А STMicroelectronics MOSFET
 N 1 100 - - - - 18 45 60 TO-220
STL21N65M5 N-канальный силовой MOSFET на 650В, 0.175 Ω, 17A в корпусе PowerFLAT™ (8x8) STMicroelectronics MOSFET
 N 1 650 - - - - 190 17 125 PowerFLAT
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 87 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники