Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 87 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
STB300NH02L N-channel 24V - 120A - D2PAK STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 24 - - - - 2.1 120 300 D2-PAK
STB270N4F3 N-channel 40 V - 2.1 m? - 160 A - D2PAK STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 40 - - - - 2.1 160 330 D2-PAK
STB270N4F3 N-channel 40 V - 2.1 m? - 160 A - D2PAK STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 40 - - - - 2.1 160 330 D2-PAK
STB270N4F3 N-channel 40 V - 2.1 m? - 160 A - D2PAK STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 40 - - - - 2.1 160 330 D2-PAK
STH270N8F7-6 N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 80 В, 180 А STMicroelectronics MOSFET
 N 1 80 - - - - 2.1 180 315 H2PAK-6
STH270N8F7-2 N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 80 В, 180 А STMicroelectronics MOSFET
 N 1 80 - - - - 2.1 180 315 H2PAK-2
STP300NH02L N-channel 24V - 120A - TO-220 STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 24 - - - - 2.1 120 300 TO-220
STB300NH02L N-channel 24V - 120A - D2PAK STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 24 - - - - 2.1 120 300 D2-PAK
STH315N10F7-2 N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 100 В, 180 А, автомобильный диапазон температур STMicroelectronics MOSFET
 N 1 100 - - - - 2.3 180 315 H2PAK-2
STH315N10F7-6 N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 100 В, 180 А, автомобильный диапазон температур STMicroelectronics MOSFET
 N 1 100 - - - - 2.3 180 315 H2PAK-6
STV240N75F3 N-channel 75 V - 2.3 m? - 240 A - PowerSO-10 STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 75 - - - - 2.3 240 300 PowerSO-10
STB230NH03L N-channel 30V - 80A - D2PAK STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 30 - - - - 2.3 250 300 D2-PAK
STH310N10F7-6 N-канальный силовой транзистор MOSFET на 100 В / 180 А, выполненные по технологии STripFET™ F7 STMicroelectronics MOSFET
 N 1 100 - - - - 2.3 180 315 H2PAK-6
STH310N10F7-2 N-канальный силовой транзистор MOSFET на 100 В / 180 А, выполненные по технологии STripFET™ F7 STMicroelectronics MOSFET
 N 1 100 - - - - 2.3 180 315 H2PAK-2
STK850 N-channel 30V - 0.0024? - 30A - PolarPAK® STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 30 - - - 2.9 2.4 30 5.2 PolarPAK
STK30N2LLH5 N-channel 25 V, 0.0024 ?, 30 A, PolarPAK® STripFET™V Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 25 - - - 3 2.4 30 5.2 PolarPAK
STL17N3LLH6 N-channel 30 V, 0.0024 ?, 17 A PowerFLAT™ (6x5) STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 30 - - - 4.8 2.4 17 50 PowerFLAT 3.3x3.3
STD150N3LLH6 N-channel 30 V, 0.0024 ? , 80 A, DPAK STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 30 - - - 3.4 2.4 80 110 DPAK-3
STI270N4F3 N-channel 40 V - 2.1 m? - 160 A I2PAK STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 40 - - - - 2.5 120 330 I2PAK
STK28N3LLH5 N-channel 30 V, 0.0035 ?, 28 A, PolarPAK® STripFET™V Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
 N 1 30 - - - 4.7 2.5 28 5.2 PolarPAK
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 87 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники