Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 87 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
STF25N60M2-EP Силовой N-канальный MOSFET-транзистор, произведённый по технологии MDmesh™ M2 EP, с рабочим напряжением 600 В, током 18 А STMicroelectronics MOSFET
N 1 650 - - - - 188 18 30 TO-220FP
STW78N65M5 Силовой N-канальный MOSFET-транзистор семейства MDmesh™ V на 650 В, 69 А, 0.0024 Ом, в автомобильном исполнении STMicroelectronics MOSFET
N 1 650 - - - - 32 69 450 TO-247
SCT10N120 Силовой MOSFET-транзистор на основе карбида кремния с рабочим напряжением 1200 В, током 12 А STMicroelectronics MOSFET
N 1 1200 - - - - 690 12 150 HiP-247
STL25DN10F7 Сдвоенный N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 100 В, 5 А STMicroelectronics MOSFET
N 2 100 - - - - 80 5 60 PowerFLAT
STL20DN10F7 Сдвоенный N-канальный силовой MOSFET транзистор, технология STripFET™VII, 100 В, 5 А STMicroelectronics MOSFET
N 2 100 - - - - 65 5 62.5 PowerFLAT
powerSTEP01 Микросхема функциональной Системы-в-Корпусе (SiP) на базе восьми N-канальных MOSFET транзисторов и программируемого контроллера с интерфейсом SPI STMicroelectronics MOSFET
N 8 - - - - - 21 10 - VFQFPN-8
SCT30N120 Карбид-кремниевый N-канальный силовой MOSFET на 45 A, 1200 В и остаточным сопротивлением 80 мОм STMicroelectronics MOSFET
N 1 1200 - - - - 80 45 270 HiP-247
STT2PF60L P-CHANNEL 60V - 0.20? - 2A - SOT-23-6L STripFET™ II Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
P 1 60 - - - 240 200 2 1.6 SOT23-6L
STD10PF06 P-CHANNEL 60V - 0.18 W - 10A IPAK/DPAK STripFET™ II POWER MOSFET STMicroelectronics MOSFET
P 1 60 - - - - 180 10 40 D-PAK
I-PAK
STN3PF06 P-channel 60 V - 0.20 ? - 2.5 A - SOT-223 STripFET™ II Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
P 1 60 - - - - 200 2.5 2.5 SOT-223-4
STB80PF55 P-channel 55V - 0.016? - 80A - D2PAK STripFET™ II Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
P 1 55 - - - - 16 80 300 D2-PAK
STP80PF55 P-channel 55V - 0.016? - 80A - D2PAK STripFET™ II Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
P 1 55 - - - - 16 80 300 TO-220
STB80PF55 P-CHANNEL 55V - 0.016 W - 80A D2PAK TripFET™ II POWER MOSFET STMicroelectronics MOSFET
P 1 55 - - - - 16 80 300 D2-PAK
STS7PF30L P-CHANNEL 30V - 0.16? - 7A - SO-8 STripFET™ II Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
P 1 30 - - - 16 11 7 2.5 SOIC-8
STT3PF30L P-CHANNEL 30V - 0.14 W - 3A SOT23-6L STripFET™ II POWER MOSFET STMicroelectronics MOSFET
P 1 20 - - - 160 140 2.4 1.6 SOT23-6L
STS5PF30L P-channel 30V - 0.045? - 5A SO-8 STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
P 1 30 - - - 65 45 5 2.5 SOIC-8
STS6PF30L P-CHANNEL 30V - 0.027 W - 6A SO-8 STripFET™ POWER MOSFET STMicroelectronics MOSFET
P 1 30 - - - - 27 6 2.5 SOIC-8
STS10PF30L P-CHANNEL 30V - 0.012 ? - 10A SO-8 STripFET™ II POWER MOSFET STMicroelectronics MOSFET
P 1 30 - - - - 12 10 2.5 SOIC-8
STD30PF03LT4 P-channel 30 V - 0.025 ? - 24 A - DPAK / IPAK STripFET™ II Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
P 1 30 - - - - 25 24 70 D-PAK
I-PAK
STS2DPFS20V P-CHANNEL 20V - 0.14 W - 2.5A SO-8 2.7V-DRIVE STripFET™ II MOSFET PLUS SCHOTTKY DIODE STMicroelectronics MOSFET
P 1 20 - - 250 200 - 2.5 2 SOIC-8
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 87 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019