STL60N10F7 N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 100 В, 12 А
|
Блок-схема  Группа компонентов MOSFETОсновные параметры
Общее описаниеТехнология STripFET™ VII DeepGATE™, дополнившая собой обширный ряд компетенций компании STMicroelectronics в области проектирования полевых транзисторов, обеспечивает лучшие в отрасли характеристики эффективности, плотности мощности и надежности исполнения устройств на классы напряжений, требуемых в широком спектре промышленных приложений. Транзисторы STripFET™ VII DeepGATE™ идеально подходят для применения в системах с рабочим напряжением 48 В постоянного тока, широко применяемых в телекоммуникационном оборудовании. Устройства с рабочим напряжением 80 В или 100 В имеют достаточный запас надежности в условиях типовых скачков напряжения в 48-вольтовых цепях. Также, транзисторы STripFET VII DeepGATE с успехом могут применять в критически важных с точки зрения безопасности 12- и 24-вольтовых автомобильных приложениях. Основным преимуществом технологии STripFET VII DeepGATE компании STMicro является усовершенствованная структура затвора полевого транзистора, благодаря которой достигается более низкое сопротивление открытого канала, снижается внутренняя емкость и заряд затвора, что приводит к увеличению скорости и эффективности переключения. Транзисторы STripFET VII отличает высокая стойкость к лавинному пробою, что позволяет избежать потенциально разрушительных воздействий неблагоприятных режимов и обеспечить необходимый уровень защиты критически важных узлов системы. |
 STL60N10F7 (901.3 Кб), 27.09.2013
|
Datasheet
STL60N10F7 N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 100 В, 12 А (901.3 Кб), 27.09.2013
| Автор документа: Жанна Свирина, Кол-во просмотров: 527 |
Дата публикации: 27.09.2013 07:18 Дата редактирования: 27.09.2013 07:22 |
