|
Блок-схема
Группа компонентов
MOSFET
Основные параметры
| Полярность |
N
|
| Каналов,шт |
1
|
| VDS,В |
100
|
| RDS(ON) 10 В,мОм |
2.7
|
| ID,А |
180
|
| Корпус |
TO-220
|
Общее описание
Отличительные особенности:
- Значительным шагом в технологии STripFET VII DeepGATE является улучшенная структура затвора MOSFET-транзистора, которая снижает сопротивление открытого канала прибора, а также паразитные ёмкости и заряд затвора, благодаря чему он может переключаться быстрее и с меньшими потерями. Транзисторы выполнены с большим запасом прочности по лавинному пробою, что гарантирует работу устройства в особо тяжёлых условиях, например, в автомобильных системах.
- Номенклатура транзисторов семейства STripFET VII DeepGATE включает 42 наименований, и большинство из них уже доступны для заказа. Среди них представлены устройства с максимальным напряжением сток-исток 80 В и 100 В, доступных в корпусах типа TO-220AB/FP, DPAK, PowerFLAT™ размерами 5 x 6 мм, а также в корпусе H2PAK с двумя или шестью выводами.
Область применения:
- Транзисторы STripFET VII DeepGATE обеспечивают высокие КПД, плотность мощности и запас прочности по величинам максимально допустимых напряжений и поэтому способны работать в самом широком спектре приложений. Устройства серии STripFET VII DeepGATE идеально подходят для применения в системах с 48-вольтовой шиной питания постоянного тока, широко применяемой в телекоммуникационном оборудовании; транзисторы на 80 В и 100 В имеют достаточный «запас прочности» для надежной работы в типовых условиях скачков напряжения, возникающих в 48-вольтовых системах. Помимо этого, транзисторы STripFET VII DeepGATE можно использовать в чрезвычайно сложных условиях окружающей среды в 12- или 24-вольтовых автомобильных приложениях.
|
Datasheet
 STP315N10F7 (840.2 Кб), 02.12.2013
Производитель
Где купить
Дистрибуторы
Дилеры
Где купить ещё
|
