Компоненты группы SRAM
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | Время выборки нс |
Ток потребления | VCC В |
TA °C |
Корпус | |||
Слов K |
Разрядов бит |
ICC мА |
ICC Shutdown мкА |
|||||||||
AS6C4008 | Низкопотребляющая статическая память 512К х 8 | Alliance Memory |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 55 | 30 | 4 | 2.7 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
W24257S | Малопотребляющая статическая память 32Кх8 | Winbond |
Low Power SRAM |
32 | 8 | 70 | 65 | 15 | 4.75 ... 5.25 | 0 ... 70 |
|
|
GS71108A | Асинхронная память объемом 1Mb (128Kx8) | GSI Technology |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 7 | 140 | 1 | 2.7 ... 3.3 | -40 ... 85 |
|
|
W24256S | Статическая память 32Кх8 | Winbond |
SRAM |
32 | 8 | 35 | 60 | 100 | 4.75 ... 5.25 | 0 ... 70 |
|
|
HM628100I-5SL | 8Мб SRAM (1024К x 8 бит) с расширенным температурным диапазоном | Renesas |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 55 | 20 | - | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
IS62WV1288BLL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 128Кх8 | ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 45 | 17 | 10 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
AS6C2008A | Низкопотребляющая статическая память 256К х 8 | Alliance Memory |
Low Power SRAM |
256 | 8 | 55 | 20 | 2 | 2.7 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
N01L83W2A | 1 Мбит сверхмалопотребляющая асинхронная SRAM 128К х 8 бит | ON Semiconductor |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 55 | 9.5 | 2 | 2.3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
IS64WV3216BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 32Кx16 | ISSI |
High Speed SRAM |
32 | 16 | 15 | 50 | 75 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
|
CY62146ESL | Статическая память объемом 4Mb (256Kx16) | Cypress |
Low Power SRAM |
256 | 16 | 45 | 2 | 1 | 2.2 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
LP62E16512-T | Низкопотребляющее статическое ОЗУ 512Кх16 | AMIC Technology |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 70 | 3 | 0.5 | 1.65 ... 2.2 | -25 ... 85 |
CSP-48 |
|
IS64WV204816BLL | Быстродействующая асинхронная статическая RAM-память объемом 32 Мбит с напряжением питания 3.3 В | ISSI |
High Speed SRAM |
2048 | 16 | 12 | 110 | - | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
|
BS616UV4016 | Сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 4Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
256 | 16 | 100 | 14 | 4 | 1.9 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
IS61WV3216BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 32Кx16 | ISSI |
High Speed SRAM |
32 | 16 | 12 | 45 | 50 | 3 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
|
CY62146E | Статическая память объемом 4Mb (256Kx16) | Cypress |
Low Power SRAM |
256 | 16 | 45 | 2 | 1 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
IS61WV204816BLL | Быстродействующая асинхронная статическая RAM-память объемом 32 Мбит с напряжением питания 3.3 В | ISSI |
High Speed SRAM |
2048 | 16 | 10 | 90 | - | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
IS62WV6416BLL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 64Кх16 | ISSI |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 45 | 17 | 15 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
|
BS616UV2019 | Сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 2Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
128 | 16 | 85 | 13 | 5 | 1.9 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
CY7S1061G30 | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ емкостью 16 Мбит с малой потребляемой мощностью и встроенной схемой коррекции ошибок ECC | Cypress |
High Speed SRAM |
1024 | 16 | 10 | 110 | 30000 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
IS62WV6416ALL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 64Кх16 | ISSI |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 55 | 10 | 10 | 1.7 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|