Компоненты группы SRAM
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | Время выборки нс |
Ток потребления | VCC В |
TA °C |
Корпус | |||
| Слов K |
Разрядов бит |
ICC мА |
ICC Shutdown мкА |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| AS7C1029 | Асинхронная статическая память 256Кх4 и напряжением питания 5В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
256 | 4 | 12 | 50 | 5 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| AS7C1028 | Асинхронная статическая память 256Кх4 и напряжением питания 5В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
256 | 4 | 12 | 50 | 5 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| CY7C1006BN | Статическая память 256K x 4 |
|
Cypress |
High Speed SRAM |
256 | 4 | 15 | 80 | 5 | 4.5 ... 5.5 | -45 ... 85 |
|
| IDT71128 | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (256Кх4) |
|
IDT |
High Speed SRAM |
256 | 4 | 12 | 155 | 5 | -40 ... 85 | 4.5 ... 5.5 |
|
| IDT71028 | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (256Кх4) |
|
IDT |
High Speed SRAM |
256 | 4 | 12 | 155 | 5 | -40 ... 85 | 4.5 ... 5.5 |
|
| GS74104A | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (1M x 4) |
|
GSI Technology |
High Speed SRAM |
1024 | 4 | 8 | 120 | 2 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| K6R4004C1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 1Мх4 с напряжением питания 5.0В |
|
Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
1024 | 4 | 10 | 75 | 5 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| LP621024D-I | Низкопотребляющяя статическая память 128К х 8 |
|
AMIC Technology |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 55 | 10 | 2 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| AS7C4096A | Асинхронная статическая память 512Кх8 и напряжением питания 5В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 10 | 20 | 1 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| HM62V8100-5 | 8Мб SRAM (1024К x 8 бит) с расширенным температурным диапазоном |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 55 | 20 | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS62WV1288ALL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 128Кх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 70 | 8 | 10 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
| AS6C2008 | Низкопотребляющая статическая память 256К х 8 |
|
Alliance Memory |
Low Power SRAM |
256 | 8 | 55 | 20 | 20 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| M5M51008D-70H | 1Мб SRAM (128К x 8 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 70 | 34 | - | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IDT71V424L | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (512Кх8) и напряжением 3.3В |
|
IDT |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 10 | 165 | 5 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
| AS6C1008L | Микропотребляющая статическая память 128К х 8 |
|
Alliance Memory |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 35 | 7 | 1 | 2.7 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| M5M51008D-55H | 1Мб SRAM (128К x 8 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 55 | 39 | - | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IS61LV256AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512х8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 10 | 25 | 50 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| CY62138VN | Статическая память объемом 2Mb (256Kx8) |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
256 | 8 | 70 | 7 | 15 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IDT71V424S | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (512Кх8) и напряжением 3.3В |
|
IDT |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 10 | 180 | 5 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
| M5M5256D-70 | 256Кб SRAM (32К x 8 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
32 | 8 | 55 | 25 | - | 3 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
