Компоненты группы SRAM
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | Время выборки нс |
Ток потребления | VCC В |
TA °C |
Корпус | |||
Слов K |
Разрядов бит |
ICC мА |
ICC Shutdown мкА |
|||||||||
BS616LV8017 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 55 | 76 | 50 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
BS616LV4017 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 4Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
256 | 16 | 55 | 65 | 20 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
BS62LV4006 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 4Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 55 | 70 | 20 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
BS62LV2006 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 2Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
256 | 8 | 55 | 55 | 20 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
BS616LV2016 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 2Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
128 | 16 | 55 | 62 | 20 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
BS616LV2019 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 2Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
128 | 16 | 55 | 25 | 5 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
BS62LV1027 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 1Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 55 | 47 | 5 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
BS616LV1010 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 1Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
64 | 16 | 55 | 45 | 5 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
BS62LV1600 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 16Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
2048 | 8 | 55 | 115 | 100 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
BS616LV1611 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 16Мб | Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
1024 | 16 | 55 | 115 | 100 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
|
W2465 | ИС статической памяти 8К х 8 | Winbond |
Low Power SRAM |
8 | 8 | 55 | 70 | 0.7 | 4 ... 5.25 | 0 ... 70 |
|
|
W24L257 | ИС статической памяти 32К х 8 | Winbond |
Low Power SRAM |
32 | 8 | 55 | 35 | 0.7 | 2.7 ... 5.25 | -40 ... 85 |
TSSOP-28 |
|
W24LH8 | ИС статической памяти 32К х 8 | Winbond |
Low Power SRAM |
32 | 8 | 55 | 70 | 0.5 | 2.7 ... 5.5 | -40 ... 85 |
TSSOP-28 |
|
W24258 | ИС статической памяти 32К х 8 | Winbond |
Low Power SRAM |
32 | 8 | 35 | 70 | 0.5 | 2 ... 5.5 | -40 ... 85 |
TSSOP-28 |
|
W24257AS | Высокоскоростная статическая память 32К х 8 | Winbond |
High Speed SRAM |
32 | 8 | 35 | 100 | 15 | 4.75 ... 5.25 | 0 ... 70 |
|
|
W24257AQ | Высокоскоростная статическая память 32К х 8 | Winbond |
High Speed SRAM |
32 | 8 | 35 | 100 | 15 | 4.75 ... 5.25 | 0 ... 70 |
TSSOP-28 |
|
W2465A | Высокоскоростная ИС статической памяти 8К х 8 | Winbond |
High Speed SRAM |
64 | 8 | 12 | 180 | 30 | 2.7 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
|
W24512A | Высокоскоростная ИС статической памяти 64К х 8 | Winbond |
High Speed SRAM |
64 | 8 | 15 | 160 | 10 | 2.7 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
|
W26010A | Высокоскоростная ИС статической памяти 64К х 16 | Winbond |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 15 | 260 | 50 | 4.75 ... 5.25 | -40 ... 85 |
|
|
W24129A | Высокоскоростная ИС статической памяти 16К х 8 | Winbond |
High Speed SRAM |
16 | 8 | 12 | 160 | 10 | 2.7 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|