Компоненты группы SRAM
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | Время выборки нс |
Ток потребления | VCC В |
TA °C |
Корпус | |||
| Слов K |
Разрядов бит |
ICC мА |
ICC Shutdown мкА |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| R1LV0414D-5S | 4 Mb SRAM (256К x 16 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
256 | 16 | 55 | 20 | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| AS7C3513B | Асинхронная статическая память 32К х 16 и напряжением питания 3.3В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
32 | 16 | 10 | 20 | 1 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS64WV51216BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 16 | 10 | 140 | 600 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| BS616LV8017 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 55 | 76 | 50 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| CY62146EV30 | Статическая память объемом 4Mb (256Kx16) |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
256 | 16 | 45 | 2 | 1 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS61WV12816DALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 128Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 16 | 8 | 70 | 70 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
| CY62158DV30 | Статическая память объемом 8Mb (1024K x 8) |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 45 | 1.5 | 2 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| CY62137EV30 | Статическая память объемом 2Mb |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
128 | 16 | 55 | 2 | 1 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| AS6C4016 | Ультронизкопотребляющая статическая память 256К х 16 |
|
Alliance Memory |
Low Power SRAM |
256 | 16 | 55 | 30 | 4 | 2.7 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IS61C5128AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512х8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 12 | 55 | 300 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
|
| IS61WV5128ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 8 | 25 | 200 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
| AS7C34096A | Асинхронная статическая память 512Кх8 и напряжением питания 3.3В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 10 | 20 | 1 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS64LV6416L | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 64Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 10 | 115 | 500 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| K6R4008C1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 512Кх8 с напряжением питания 5.0В |
|
Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 10 | 75 | 5 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IS64C6416AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 64х16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 12 | 45 | 400 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
|
| CY62157ESL | Статическая память объемом 8Mb (512Kx16) |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 45 | 1.8 | 2 | 2.2 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| R1LV0414D-7L | 4 Mb SRAM (256К x 16 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
256 | 16 | 70 | 20 | - | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS61WV3216BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 32Кx16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
32 | 16 | 12 | 45 | 50 | 3 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| IS64LV25616AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 256Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 10 | 120 | 350 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| AS6C2016 | Низкопотребляющая статическая память 128К х 16 |
|
Alliance Memory |
Low Power SRAM |
128 | 16 | 55 | 20 | 2 | 2.7 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
