Компоненты группы SRAM
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | Время выборки нс |
Ток потребления | VCC В |
TA °C |
Корпус | |||
| Слов K |
Разрядов бит |
ICC мА |
ICC Shutdown мкА |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IS61C5128AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512х8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 10 | 50 | 200 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| LP621024D | Низкопотребляющее статическое ОЗУ 128Кх8 |
|
AMIC Technology |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 55 | 10 | 2 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
| AS7C164 | Асинхронная статическая память 8Кх8 и напряжением питания 5В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
8 | 8 | 12 | 20 | 1 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
| IS61C5128AS | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512х8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 25 | 20 | 200 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
|
| CY62128EV30 | Статическая память 128К х 8 семейства MoBL® |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 45 | 1.3 | 1 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| IDT71V256SA | Низкопотребляющая асинхронная статическая память объемом 256К (32Кх8) |
|
IDT |
High Speed SRAM |
32 | 8 | 10 | 100 | 200 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| BS62LV1027 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 1Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 55 | 47 | 5 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| LP621024D-T | Низкопотребляющее статическое ОЗУ 128Кх8 |
|
AMIC Technology |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 55 | 10 | 2 | 4.5 ... 5.5 | -25 ... 85 |
|
| R1LP0408C-7L | 4 Mb SRAM (512К x 8 бит) с расширенным температурным диапазоном |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 70 | 1.5 | - | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IS61C5128AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512х8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 12 | 55 | 300 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
|
| CY62128E | Статическая память 128К х 8 |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 45 | 1.3 | 1 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
|
| IDT71256SA | Асинхронная статическая память объемом 256К (32Кх8) |
|
IDT |
High Speed SRAM |
32 | 8 | 12 | 160 | 5 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| LP62S2048A-I | Низкопотребляющее статическое ОЗУ 256Кх8 |
|
AMIC Technology |
Low Power SRAM |
256 | 8 | 55 | 3 | 0.5 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| AS7C34096A | Асинхронная статическая память 512Кх8 и напряжением питания 3.3В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 10 | 20 | 1 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| R1LP0408C-5S | 4 Mb SRAM (512К x 8 бит) с расширенным температурным диапазоном |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 55 | 1.5 | - | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IS61C5128AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512х8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 10 | 50 | 120 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IDT71256L | Асинхронная статическая память объемом 256К (32Кх8) |
|
IDT |
High Speed SRAM |
32 | 8 | 20 | 135 | 0.6 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 5.585 |
PDIP-28 |
| DS3065WP | Энергонезависимая память SRAM объемом 8МБ с питанием 3.3В и встроенными часами реального времени, позволяет организовать законченный блок ОЗУ 1Mx8 |
|
Maxim Integrated |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 100 | 50 | - | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS64WV10248ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 1Мх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 8 | 10 | 140 | 700 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| CY62158EV30 | Статическая память объемом 8Mb (1024K x 8) |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 45 | 1.8 | 2 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
