Компоненты группы SRAM
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | Время выборки нс |
Ток потребления | VCC В |
TA °C |
Корпус | |||
| Слов K |
Разрядов бит |
ICC мА |
ICC Shutdown мкА |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| BS616UV1010 | Сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 1Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
64 | 16 | 100 | 20 | 1.5 | 1.9 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS62WV6416BLL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 64Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 45 | 17 | 15 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS61WV25616ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 256Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 10 | 25 | 200 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 125 |
TQFP-100 |
| IS62WV25616BLL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 256Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 55 | 45 | 15 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS65WV102416ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 1Мх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 16 | 25 | 60 | 200 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 125 |
TSOPI-48 |
| IDT71V416L | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (256Кх16) и напряжением 3.3В |
|
IDT |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 10 | 180 | 5 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
| BS616LV8016 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 55 | 76 | 50 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IS62WV20488BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 2Мх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
2048 | 8 | 25 | 30 | 150 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS64WV12816BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 128Кx16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 16 | 15 | 25 | 400 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| IS66WV25616ALL | Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 256Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 70 | 25 | 120 | 1.7 ... 1.95 | -40 ... 85 |
|
| BH62UV8001 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 55 | 12 | 15 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS62WV12816ALL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 128Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 16 | 70 | 20 | 10 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
| IS64WV51216BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 16 | 10 | 140 | 600 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| BS616LV8017 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 55 | 76 | 50 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IS61WV12816DALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 128Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 16 | 8 | 70 | 70 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
| BS616UV2019 | Сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 2Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
128 | 16 | 85 | 13 | 5 | 1.9 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| IS61WV6416BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 64Кx16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 12 | 60 | 75 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| BH616UV8010 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 55 | 12 | 15 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| IS61WV20488ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 2Мх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
2048 | 8 | 20 | 100 | 200 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| IS64LV6416L | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 64Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 10 | 115 | 500 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
