Компоненты группы SRAM

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
Время
выборки (нс)
Ток потребления: ICC (мА)
Ток потребления: ICC Shutdown (мкА)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска

Страницы: 1 2 3 4 5 ... 25 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация Время
выборки
нс
Ток потребления VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
ICC
мА
ICC Shutdown
мкА
                         
1645РУ4 Микросхема оперативно запоминающего устройства статического типа емкостью 16 Мбит (1М x 16 бит) Миландр High Speed SRAM
1024 16 30 150 5000 3 ... 3.6 -60 ... 125 5134.64-6
1645РУ3 Микросхема оперативно запоминающего устройства статического типа емкостью 4 Мбит (256К x 16 бит) Миландр High Speed SRAM
256 16 20 120 1000 3 ... 3.6 -60 ... 125 Н18.64-3B
1645РУ2 Микросхема оперативно запоминающего устройства статического типа емкостью 64 Кбит (8К x 8 бит) с повышенной стойкостью к воздействию специальных факторов Миландр High Speed SRAM
8 8 55 160 3000 4.5 ... 5.5 -60 ... 125 4119.28-6
1645РУ1 Микросхема оперативно запоминающего устройства статического типа емкостью 1 Мбит (128К x 8) бит Миландр High Speed SRAM
128 8 25 120 1000 3 ... 5.5 -60 ... 125 Н18.64-3B
IDT71256S Асинхронная статическая память объемом 256К (32Кх8) IDT High Speed SRAM
32 8 20 150 20 4.5 ... 5.5 -55 ... 125 PDIP-28
DIP-28
PLCC-32
SOJ-28 (300mil)
A63P06361 Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 1Мх36 AMIC Technology High Speed SRAM
1024 36 6.5 300 2 2.375 ... 2.625 -45 ... 125 LQFP-100
CY7C1006BN Статическая память 256K x 4 Cypress High Speed SRAM
256 4 15 80 5 4.5 ... 5.5 -45 ... 85 SOJ-28 (300mil)
A63L06361 Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 1Мх36 AMIC Technology High Speed SRAM
1024 36 6.5 400 2 3.135 ... 3.465 -45 ... 125 LQFP-100
A63P83361 Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 256Кх36 AMIC Technology High Speed SRAM
256 36 6.5 300 2 2.375 ... 2.625 -45 ... 125 LQFP-100
LP621024D-I Низкопотребляющяя статическая память 128К х 8 AMIC Technology Low Power SRAM
128 8 55 10 2 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 DIP-32
SOIC-32
AS7C4096A Асинхронная статическая память 512Кх8 и напряжением питания 5В Alliance Memory High Speed SRAM
512 8 10 20 1 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 SOJ-36 (400mil)
TSOPII-44
HM62V8100-5 8Мб SRAM (1024К x 8 бит) с расширенным температурным диапазоном Renesas Low Power SRAM
1024 8 55 20 - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TSOPII-44
IS64WV3216BLL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 32Кx16 ISSI High Speed SRAM
32 16 15 50 75 2.5 ... 3.6 -40 ... 125 BGA-48
TSOPII-44
IS61VPS51236A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ 512Кх36 ISSI High Speed SRAM
512 36 2.6 600 125 2.375 ... 2.7 -40 ... 85 TQFP-100
PBGA-119
PBGA-165
CY62146ESL Статическая память объемом 4Mb (256Kx16) Cypress Low Power SRAM
256 16 45 2 1 2.2 ... 5.5 -40 ... 85 TSOPII-44
IS64WV204816BLL Быстродействующая асинхронная статическая RAM-память объемом 32 Мбит с напряжением питания 3.3 В ISSI High Speed SRAM
2048 16 12 110 - 2.4 ... 3.6 -40 ... 125 BGA-48
TSOP-48
IS62WV1288ALL Малопотребляющее статическое ОЗУ 128Кх8 ISSI High Speed SRAM
128 8 70 8 10 1.65 ... 2.2 -40 ... 85 BGA-36
SOP-32
STSOP-32
TSOPI-32
IS61NVP25618A Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ объемом 4Мб 256Кх18 ISSI High Speed SRAM
256 18 2.6 250 750 2.375 ... 2.75 -40 ... 85 TQFP-100
PBGA-119
PBGA-165
AS6C2008 Низкопотребляющая статическая память 256К х 8 Alliance Memory Low Power SRAM
256 8 55 20 20 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 SOP-32
STSOP-32
TFBGA-36
BS616UV4016 Сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 4Мб Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) Low Power SRAM
256 16 100 14 4 1.9 ... 3.6 -40 ... 85 BGA-48
TSOPII-44
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 25 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019