Компоненты группы SRAM
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | Время выборки нс |
Ток потребления | VCC В |
TA °C |
Корпус | |||
| Слов K |
Разрядов бит |
ICC мА |
ICC Shutdown мкА |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| BS62LV4006 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 4Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 55 | 70 | 20 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| BS62LV1027 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 1Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 55 | 47 | 5 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IS62WV2568BLL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 256Кх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 8 | 55 | 35 | 10 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS62WV1288ALL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 128Кх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 70 | 8 | 10 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
| IS61WV5128ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 8 | 25 | 200 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
| IS62WV5128ALL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 512Кх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 70 | 30 | 15 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
| BH62UV4000 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 4Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 55 | 10 | 10 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| BH62UV1601 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 16Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
2048 | 8 | 55 | 12 | 30 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| BS616LV4017 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 4Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
256 | 16 | 55 | 65 | 20 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IS62C51216AL | Ультромалопотребляющее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх16 |
|
ISSI |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 45 | 40 | 40 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IS64WV20488ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 2Мх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
2048 | 8 | 8 | 140 | 700 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| IS65WV12816ALL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 128Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 16 | 70 | 20 | 50 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 125 |
|
| BS616LV1010 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 1Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
64 | 16 | 55 | 45 | 5 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IS64WV3216BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 32Кx16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
32 | 16 | 15 | 50 | 75 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| BS616LV2019 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 2Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
128 | 16 | 55 | 25 | 5 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| IS64WV102416BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 1Мх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 16 | 10 | 140 | 600 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 125 |
TSOPI-48 |
| IS66WV51216ALL | Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 512Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 16 | 70 | 25 | 120 | 1.7 ... 1.95 | -40 ... 85 |
|
| IS64WV6416BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 64Кx16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 15 | 50 | 75 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| IDT71V416S | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (256Кх16) и напряжением 3.3В |
|
IDT |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 10 | 200 | 5 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
| BH62UV1610 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 16Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
1024 | 16 | 55 | 12 | 30 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
