+ BS616UV1010, Сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 1Мб
 

BS616UV1010 Сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 1Мб

 

Блок-схема

BS616UV1010, Сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 1Мб
Увеличить

Группа компонентов

Low Power SRAM

Основные параметры

Организация: Слов,K 64
Организация: Разрядов,бит 16
Время
выборки
,нс
100
Ток потребления: ICC,мА 20
Ток потребления: ICC Shutdown,мкА 1.5
VCC от 1.9 до 3.6
TA,°C от -40 до 85
Корпус BGA-48 TSOPII-44

Общее описание

Datasheet
 
BS616UV1010 (203.7 Кб), 23.09.2008

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

BS616UV1010 Сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 1Мб (203.7 Кб), 23.09.2008




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 1284
Дата публикации: 23.09.2008 08:58
Дата редактирования: 23.09.2008 09:01


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019