Компоненты группы RAM
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| CY62126EV30 | Статическая память 64К х 16 |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
64 | 16 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| CY62157EV30 | Статическая память объемом 8Mb (512Kx16) |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| IS61WV10248BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 1Мх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 8 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS62WV51216BLL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 512Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 16 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS62WV6416ALL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 64Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 1.7 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
| CY62147EV30 | Статическая память объемом 4Mb (256Kx16) |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
256 | 16 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| IS61C5128AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512х8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IS62WV25616ALL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 256Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
| BS616LV4017 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 4Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
256 | 16 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| LP62S16256F-T | Низкопотребляющее статическое ОЗУ 256Кх16 |
|
AMIC Technology |
Low Power SRAM |
256 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -25 ... 85 |
CSP-48 |
| R1LV0414D-7L | 4 Mb SRAM (256К x 16 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
256 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS66WV51216BLL | Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 512Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 16 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 105 |
|
| MR0A08B | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 128К х 8 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
128 | 8 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
| IS61C6416AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 64х16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| AS7C1026B | Асинхронная статическая память 64Кх16 и напряжением питания 5В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IDT71V416S | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (256Кх16) и напряжением 3.3В |
|
IDT |
High Speed SRAM |
256 | 16 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
| MR1A16AV | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 128К х 16 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
128 | 16 | 3 ... 3.6 | -40 ... 105 |
|
| CY62157E | Статическая память объемом 8Mb (512Kx16) |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| GS74104A | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (1M x 4) |
|
GSI Technology |
High Speed SRAM |
1024 | 4 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS62C51216AL | Ультромалопотребляющее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх16 |
|
ISSI |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
|
