Компоненты группы RAM
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IS62WV20488ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 2Мх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
2048 | 8 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
| IS65WV12816BLL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 128Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 16 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| MR2A08AC | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 512К х 8 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| HM62V8100-5 | 8Мб SRAM (1024К x 8 бит) с расширенным температурным диапазоном |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| AS7C4098A | Асинхронная статическая память 256Кх16 и напряжением питания 5В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IS61C25616AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 256х16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| CY62136FV30 | Статическая память объемом 2Mb |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
128 | 16 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| M5M5V216ATP-55H | 2 Mb SRAM (128К x 16 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
128 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| AS7C513C | Асинхронная статическая память 32Кх16 и напряжением питания 5В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
32 | 16 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| MR0A16AС | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 64К х 16 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
64 | 16 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| AS7C31026C | Асинхронная статическая память 64Кх16 и напряжением питания 3.3В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| AS7C32098A | Асинхронная статическая память 64Кх16 и напряжением питания 3.3В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
128 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS61C5128AS | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512х8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
|
| IS61WV51216ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 16 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
| A61L6316 | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 64Кх16 |
|
AMIC Technology |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 3 ... 3.6 | -25 ... 85 |
|
| CY62146E | Статическая память объемом 4Mb (256Kx16) |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
256 | 16 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| HM628100I-5SL | 8Мб SRAM (1024К x 8 бит) с расширенным температурным диапазоном |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IDT71V424L | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (512Кх8) и напряжением 3.3В |
|
IDT |
High Speed SRAM |
512 | 8 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
| MR1A16AC | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 128К х 16 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
128 | 16 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS64WV10248ALL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 1Мх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 8 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
