Компоненты группы RAM
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| K6R4008C1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 512Кх8 с напряжением питания 5.0В |
|
Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| BS616UV4016 | Сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 4Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
256 | 16 | 1.9 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| CY62136EV30 | Статическая память объемом 2Mb |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
128 | 16 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| IS64WV3216BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 32Кx16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
32 | 16 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| AS7C513B | Асинхронная статическая память 32Кх16 и напряжением питания 5В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
32 | 16 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| MR0A16A | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 64К х 16 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
64 | 16 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
| GS71116A | Асинхронная память объемом 1Мб (64Kx16) |
|
GSI Technology |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 2.7 ... 3.3 | -40 ... 85 |
|
| R1LV0414D-5S | 4 Mb SRAM (256К x 16 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
256 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| CY62158EV30 | Статическая память объемом 8Mb (1024K x 8) |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| IS66WV51216ALL | Малопотребляющее статическое псевдо-ОЗУ 512Кх16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 16 | 1.7 ... 1.95 | -40 ... 85 |
|
| MR256A08BM | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 32К х 8 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
32 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| CY62137FV30 | Статическая память объемом 2Mb |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
128 | 16 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| IS61C3216AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 32х16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
32 | 16 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IS64WV6416BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 64Кx16 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 2.5 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| AS6C1016 | Низкопотребляющая статическая память 64К х 16 |
|
Alliance Memory |
Low Power SRAM |
64 | 16 | 2.7 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| BS616LV1010 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 1Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
64 | 16 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| AS6C8008 | Ультронизкопотребляющая статическая память 1024К х 8 |
|
Alliance Memory |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 2.7 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IS64WV5128BLL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 125 |
|
| K6R4016V1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 256Кх16 |
|
Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| LP62E16256E-T | Низкопотребляющее статическое ОЗУ 256Кх16 |
|
AMIC Technology |
Low Power SRAM |
256 | 16 | 1.65 ... 2.2 | -25 ... 85 |
CSP-48 |
