Компоненты группы RAM
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IS63LV1024 | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 128Кx8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| MR2A08AM | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 512К х 8 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| DS2070W | Энергонезависимая SRAM объемом 16Мб и напряжением 3.3В |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
2048 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| M48Z58Y | Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией долговременного хранения данных |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
8 | 8 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
PCDIP-28 SOH-28 |
| IS62WV2568ALL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 256Кх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
256 | 8 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
| BS62LV256 | Высокопроизводительная малопотребляющая асинхронная статическая память |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
32 | 8 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| W24257Q | Малопотребляющая статическая память 32Кх8 |
|
Winbond |
Low Power SRAM |
32 | 8 | 4.75 ... 5.25 | 0 ... 70 |
|
| M48T128Y | Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с функцией хранения реального времени |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
128 | 8 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
| MR2A08AC | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 512К х 8 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| M48Z58 | Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией долговременного хранения данных |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
8 | 8 | 4.75 ... 5.5 | 0 ... 70 |
PCDIP-28 |
| R1LP0408C-7L | 4 Mb SRAM (512К x 8 бит) с расширенным температурным диапазоном |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| AS6C4008 | Низкопотребляющая статическая память 512К х 8 |
|
Alliance Memory |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 2.7 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| DS1557W | Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с Y2K-совместимыми часами реального времени |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
PCM-34 |
| W24257S | Малопотребляющая статическая память 32Кх8 |
|
Winbond |
Low Power SRAM |
32 | 8 | 4.75 ... 5.25 | 0 ... 70 |
|
| GS71108A | Асинхронная память объемом 1Mb (128Kx8) |
|
GSI Technology |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 2.7 ... 3.3 | -40 ... 85 |
|
| M48T18 | Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией хранения реального времени |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
8 | 8 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
PCDIP-28 |
| MR2A08A | Быстродействующая энергонезависимая магниторезистивная память MRAM, объемом 512К х 8 бит |
|
Everspin Technologies |
MRAM |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
| M48Z35AV | Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с функцией долговременного хранения данных |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
32 | 8 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
PCDIP-28 SOH-28 |
| R1LP0408C-5S | 4 Mb SRAM (512К x 8 бит) с расширенным температурным диапазоном |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| DS1250Y | Энергонезависимая SRAM емкостью 4096Кб |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
512 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
MOD-32 PCM-34 |
