Компоненты группы RAM

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска


Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                   
W2465 ИС статической памяти 8К х 8 Winbond Low Power SRAM
8 8 4 ... 5.25 0 ... 70 DIP-28
SOP-28
M48T35Y Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с функцией хранения реального времени STMicroelectronics NVSRAM
32 8 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 PCDIP-28
SOH-28
IS61LV2568L Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 256Кх8 ISSI High Speed SRAM
256 8 3 ... 3.6 -40 ... 85 SOJ-36 (400mil)
TSOPII-44
DS2030L Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб и напряжением 3.3В Maxim Integrated NVSRAM
32 8 3 ... 3.6 -40 ... 85 PBGA-256
MB85RS2MT Сегнетоэлектрическое ОЗУ (FRAM) объёмом 2 Мб с интерфейсом SPI Fujitsu Components FRAM
256 8 1.8 ... 3.6 -40 ... 85 DIP-8
SOP-8
DS1643 Энергонезависимая SRAM с функцией хранения реального времени Maxim Integrated NVSRAM
8 8 4.5 ... 5.5 0 ... 70 MOD-28
PCM-34
AS7C3256A Асинхронная статическая память 32К х 8 и напряжением питания 3.3В Alliance Memory High Speed SRAM
32 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 SOJ-28 (300mil)
TSOP28
DS1270AB Энергонезависимая SRAM емкостью 16Мб Maxim Integrated NVSRAM
2048 8 4.75 ... 5.25 -40 ... 85 MOD-36
A615308 Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 32Кх8 AMIC Technology High Speed SRAM
32 8 4.5 ... 5.5 -40 ... 125 SOJ-28 (300mil)
SOP-28
TSOP-28
W24258-LL Никопотребляющая ИС статической памяти 32К х 8 Winbond Low Power SRAM
32 8 4 ... 5.25 0 ... 70 TSSOP-28
SOP-28
M48T35 Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с функцией хранения реального времени STMicroelectronics NVSRAM
32 8 4.75 ... 5.5 0 ... 70 PCDIP-28
DS3045W Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб, напряжением 3.3В и встроенным RTC Maxim Integrated NVSRAM
128 8 3 ... 3.6 -40 ... 85 PBGA-256
MB85RS1MT Ферроэлектрическая память с произвольным доступом (FRAM), объемом 1 Мбит, последовательным интерфейсом SPI в 8-выводном корпусе WL-CSP Fujitsu Components FRAM
131 8 1.8 ... 3.6 -40 ... 85 SOP-8
WLP-8
DS1554 Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с Y2K-совместимыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
32 8 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 MOD-32
PCM-34
DS1265Y Энергонезависимая SRAM емкостью 8Мб Maxim Integrated NVSRAM
1024 8 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 MOD-36
BH62UV8001 Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) Low Power SRAM
1024 8 1.65 ... 3.6 -40 ... 85 BGA-48
W24258 ИС статической памяти 32К х 8 Winbond Low Power SRAM
32 8 2 ... 5.5 -40 ... 85 TSSOP-28
SOP-28
M48T129V Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с функцией хранения реального времени STMicroelectronics NVSRAM
128 8 3 ... 3.6 0 ... 70 PMDIP-32
IS64WV1024BLL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 128Кx8 ISSI High Speed SRAM
128 8 2.5 ... 3.6 -40 ... 125 BGA-48
STSOP-32
TSOPII-32
CY62148EV30 Статическая память объемом 4Mb (512Kx8) Cypress Low Power SRAM
512 8 2.2 ... 3.6 -40 ... 85 SOIC-32
TSOPII-32
VFBGA-36




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019