Компоненты группы RAM

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска

Страницы: предыдущая 1 ... 29 30 31 32 33 34 35 36 37 ... 39 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                   
GS78108A Асинхронная статическая память объемом 8Мб (1M x 8) GSI Technology High Speed SRAM
1024 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 BGA-119
M48T37V Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с функцией хранения реального времени STMicroelectronics NVSRAM
32 8 3 ... 3.6 -40 ... 85 SOH-44
DS1642 Энергонезависимая SRAM с функцией хранения реального времени Maxim Integrated NVSRAM
2 8 4.5 ... 5.5 0 ... 70 MOD-24
M5M5V108D-70H 1 Mb SRAM (128К x 8 бит) Renesas Low Power SRAM
128 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 SOP-32
STSOP-32
TSOP-32
AS7C31025C Асинхронная статическая память 128Кх8 и напряжением питания 3.3В Alliance Memory High Speed SRAM
128 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 SOJ-32
TSOPII-32
DS1345Y Энергонезависимая SRAM емкостью 1024К со встроенной литиевой батареей Maxim Integrated NVSRAM
128 8 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 PCM-34
BS62LV1027 Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 1Мб Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) Low Power SRAM
128 8 2.4 ... 5.5 -40 ... 85 BGA-36
DIP-32
SOP-32
STSOP-32
TSOPI-32
W24512A Высокоскоростная ИС статической памяти 64К х 8 Winbond High Speed SRAM
64 8 2.7 ... 5.5 0 ... 70 SOJ-32
TSOP-32
M48T35AV Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с функцией хранения реального времени STMicroelectronics NVSRAM
32 8 3 ... 3.6 0 ... 70 PCDIP-28
SOH-28
IS64WV5128BLL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх8 ISSI High Speed SRAM
512 8 1.65 ... 2.2 -40 ... 125 BGA-36
SOJ-36 (400mil)
TSOPII-44
DS1249W Энергонезависимая SRAM емкостью 2048 Кб с напряжением питания 3,3 В Maxim Integrated NVSRAM
256 8 3 ... 3.6 -40 ... 85 MOD-32
DS1557 Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с Y2K-совместимыми часами реального времени Maxim Integrated NVSRAM
512 8 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 PCM-34
M5M5V208AKV-70H 2 Mb SRAM (256К x 8 бит) Renesas Low Power SRAM
256 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 STSOP-32
AS7C31025B Асинхронная статическая память 128Кх8 и напряжением питания 3.3В Alliance Memory High Speed SRAM
128 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 SOJ-32
DS1345AB Энергонезависимая SRAM емкостью 1024К со встроенной литиевой батареей Maxim Integrated NVSRAM
128 8 4.75 ... 5.25 -40 ... 85 PCM-34
W24129A Высокоскоростная ИС статической памяти 16К х 8 Winbond High Speed SRAM
16 8 2.7 ... 5.5 0 ... 70 SOJ-28 (300mil)
M48T58 Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией хранения реального времени STMicroelectronics NVSRAM
8 8 4.75 ... 5.5 0 ... 70 PCDIP-28
IS61WV5128ALL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512Кх8 ISSI High Speed SRAM
512 8 1.65 ... 2.2 -40 ... 85 BGA-36
SOJ-36 (400mil)
TSOPII-44
DS3065W Энергонезависимая SRAM объемом 8Мб, напряжением 3.3В и встроенным RTC Maxim Integrated NVSRAM
1024 8 3 ... 3.6 -40 ... 85 PBGA-256
IS62WV5128BLL Малопотребляющее статическое ОЗУ 512Кх8 ISSI High Speed SRAM
512 8 2.5 ... 3.6 -40 ... 85 BGA-36
SOP-32
STSOP-32
TSOPI-32
TSOPII-32
Страницы: предыдущая 1 ... 29 30 31 32 33 34 35 36 37 ... 39 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019