Компоненты группы RAM
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
1645РГ1Т | Двухпортовое СОЗУ типа FIFO 144 Кбит (16Кх9) | Миландр |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | -60 ... 125 |
4119.28-6 |
|
IDT7200L20TP | Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 20 нс, 0°C...+70°C | IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
|
M48T128Y | Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с функцией хранения реального времени | STMicroelectronics |
NVSRAM |
128 | 8 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
|
CY7C4271-15AXC | Синхронная FIFO организацией 32K x 9, 15 нс, 0°C...+70°C | Cypress |
Синхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
|
R1LP0408C-7L | 4 Mb SRAM (512К x 8 бит) с расширенным температурным диапазоном | Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
IDT7200L20J | Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 20 нс, 0°C...+70°C | IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
|
M48T18 | Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией хранения реального времени | STMicroelectronics |
NVSRAM |
8 | 8 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
PCDIP-28 |
|
CY7C4261-10JXI | Синхронная FIFO организацией 16K x 9, 10 нс, -40°C...+85°C | Cypress |
Синхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
R1LP0408C-5S | 4 Mb SRAM (512К x 8 бит) с расширенным температурным диапазоном | Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
DS1250Y | Энергонезависимая SRAM емкостью 4096Кб | Maxim Integrated |
NVSRAM |
512 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
MOD-32 PCM-34 |
|
AS7C4098A | Асинхронная статическая память 256Кх16 и напряжением питания 5В | Alliance Memory |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
IDT7200L20SO | Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 20 нс, 0°C...+70°C | IDT |
Асинхронная FIFO |
- | 9 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
SOIC-28 |
|
M48T08Y | Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией хранения реального времени | STMicroelectronics |
NVSRAM |
8 | 8 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
SOH-28 |
|
M48T08 | Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией хранения реального времени | STMicroelectronics |
NVSRAM |
8 | 8 | 4.75 ... 5.5 | 0 ... 70 |
PCDIP-28 |
|
M48Z512A | Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с функцией долговременного хранения данных | STMicroelectronics |
NVSRAM |
512 | 8 | 4.75 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
|
DS1249AB | Энергонезависимая SRAM емкостью 2048Кб | Maxim Integrated |
NVSRAM |
256 | 8 | 4.75 ... 5.25 | -40 ... 85 |
MOD-32 |
|
M48T02 | Энергонезависимая SRAM объемом 16Кб с функцией хранения реального времени | STMicroelectronics |
NVSRAM |
2 | 8 | 4.75 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
|
M48Z35 | Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с функцией долговременного хранения данных | STMicroelectronics |
NVSRAM |
32 | 8 | 4.75 ... 5.5 | 0 ... 70 |
PCDIP-28 |
|
DS1245AB | Энергонезависимая SRAM емкостью 1024Кб | Maxim Integrated |
NVSRAM |
128 | 8 | 4.75 ... 5.25 | -40 ... 85 |
MOD-32 PCM-34 |
|
DS1230AB | Энергонезависимая SRAM емкостью 256Кб | Maxim Integrated |
NVSRAM |
32 | 8 | 4.75 ... 5.25 | -40 ... 85 |
MOD-28 PCM-34 |