Компоненты группы RAM
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| M5M5V208AKV-55H | 2 Mb SRAM (256К x 8 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
256 | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| AS7C31024B | Асинхронная статическая память 128Кх8 и напряжением питания 3.3В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 2.7 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
| DS1330Y | Энергонезависимая SRAM емкостью 256К со встроенной литиевой батареей |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
32 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
PCM-34 |
| W24LH8 | ИС статической памяти 32К х 8 |
|
Winbond |
Low Power SRAM |
32 | 8 | 2.7 ... 5.5 | -40 ... 85 |
TSSOP-28 |
| M48T512V | Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с функцией хранения реального времени |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | 0 ... 70 |
|
| DS3050W | Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб, напряжением 3.3В и встроенным RTC |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| LP62S4096E-I | Низкопотребляющее статическое ОЗУ 512Кх8 |
|
AMIC Technology |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| DS1556W | Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с Y2K-совместимыми часами реального времени |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
128 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
MOD-32 PCM-34 |
| DS1330AB | Энергонезависимая SRAM емкостью 256К со встроенной литиевой батареей |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
32 | 8 | 4.75 ... 5.25 | -40 ... 85 |
PCM-34 |
| IS61C256AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 32х8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
32 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| BH62UV1601 | Быстродействующая сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 16Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
2048 | 8 | 1.65 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| W24L257 | ИС статической памяти 32К х 8 |
|
Winbond |
Low Power SRAM |
32 | 8 | 2.7 ... 5.25 | -40 ... 85 |
TSSOP-28 |
| GS74108A | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (512K x 8) |
|
GSI Technology |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| M48T512Y | Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с функцией хранения реального времени |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
512 | 8 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
| DS2045L | Однокристальная энергонезависимая SRAM объемом 1Мб и напряжением 3.3В |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
128 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| LP62S4096E-T | Низкопотребляющее статическое ОЗУ 512Кх8 |
|
AMIC Technology |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 2.7 ... 3.6 | -25 ... 85 |
|
| DS1556 | Энергонезависимая SRAM объемом 1Мб с Y2K-совместимыми часами реального времени |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
128 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
MOD-32 PCM-34 |
| IS62WV5128ALL | Малопотребляющее статическое ОЗУ 512Кх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 1.65 ... 2.2 | -40 ... 85 |
|
| DS1270Y | Энергонезависимая SRAM емкостью 16Мб |
|
Maxim Integrated |
NVSRAM |
2048 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
MOD-36 |
| IS61C64AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 8Кх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
8 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
