Компоненты группы RAM
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| CY62136FV30 | Статическая память объемом 2Mb |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
128 | 16 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| CY62136EV30 | Статическая память объемом 2Mb |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
128 | 16 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| CY62136CV30 | Статическая память объемом 2Mb |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
128 | 16 | 2.7 ... 3.3 | -40 ... 85 |
|
| CY62128EV30 | Статическая память 128К х 8 семейства MoBL® |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| CY62128E | Статическая память 128К х 8 |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
|
| CY62126EV30 | Статическая память 64К х 16 |
|
Cypress |
Low Power SRAM |
64 | 16 | 2.2 ... 3.6 | -40 ... 125 |
|
| CY14V101QS | Быстродействующее энергонезависимое статическое ОЗУ (nvSRAM) ёмкостью 1 Мбит с 4-проводным SPI-интерфейсом |
|
Cypress |
NVSRAM |
128 | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-16 |
| CY14V101PS | Быстродействующее энергонезависимое статическое ОЗУ (nvSRAM) ёмкостью 1 Мбит с 4-проводным SPI-интерфейсом и встроенными часами реального времени (RTC) |
|
Cypress |
NVSRAM |
128 | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
SOIC-16 |
| BS62UV256 | Высокопроизводительная сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
32 | 8 | 1.8 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| BS62LV8001 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| BS62LV4006 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 4Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| BS62LV256 | Высокопроизводительная малопотребляющая асинхронная статическая память |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
32 | 8 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| BS62LV2006 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 2Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
256 | 8 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| BS62LV1600 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 16Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
2048 | 8 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| BS62LV1027 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 1Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| BS616UV4016 | Сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 4Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
256 | 16 | 1.9 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| BS616UV2019 | Сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 2Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
128 | 16 | 1.9 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| BS616UV1010 | Сверхмалопотребляющая асинхронная статическая память объемом 1Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
64 | 16 | 1.9 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| BS616LV8017 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| BS616LV8016 | Малопотребляющая асинхронная статическая память объемом 8Мб |
|
Brilliance Semiconductor, Inc. (BSI) |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 2.4 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
