Главная » Документация » Микросхемы » Память » RAM » SRAM » High Speed SRAM

CY7C1006BN Статическая память 256K x 4

Блок-схема

Группа компонентов

High Speed SRAM

Основные параметры

Организация: Слов,K	256
Организация: Разрядов,бит	4
Время выборки,нс	15
Ток потребления: I_CC,мА	80
Ток потребления: I_CC Shutdown,мкА	5
V_CC,В	от 4.5 до 5.5
T_A,°C	от -45 до 85
Корпус	SOJ-28 (300mil)

Datasheet

CY7C106BN, CY7C1006BN (364.3 Кб), 21.04.2008

Производитель

Где купить

Datasheet

Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 1791

Дата публикации: 21.04.2008 15:44
Дата редактирования: 14.01.2009 14:12

Мероприятия:

Поиск				В компонентах В документах По PDF базе По фирмам
		по всем полям Расширенный поиск