Компоненты группы RAM
Важно!Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска |
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | VCC В |
TA °C |
Корпус | ||
| Слов K |
Разрядов бит |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| M48T35 | Энергонезависимая SRAM объемом 256Кб с функцией хранения реального времени |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
32 | 8 | 4.75 ... 5.5 | 0 ... 70 |
PCDIP-28 |
| M48Z512A | Энергонезависимая SRAM объемом 4Мб с функцией долговременного хранения данных |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
512 | 8 | 4.75 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| M48T58Y | Энергонезависимая SRAM объемом 64Кб с функцией хранения реального времени |
|
STMicroelectronics |
NVSRAM |
8 | 8 | 4.5 ... 5.5 | 0 ... 70 |
PCDIP-28 SOH-28 |
| K6R4016V1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 256Кх16 |
|
Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| K6R4016C1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 256Кх16 с напряжением питания 5.0В |
|
Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| K6R4008V1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 512Кх8 с напряжением питания 3.3В |
|
Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 3 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| K6R4008C1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 512Кх8 с напряжением питания 5.0В |
|
Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| K6R4004C1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 1Мх4 с напряжением питания 5.0В |
|
Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
1024 | 4 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| M5M51008D-70H | 1Мб SRAM (128К x 8 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
128 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| R1LV0408D-5S | 4 Mb SRAM (512К x 8 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| R1LV0816ABG-5SI | 8 Мб SRAM (512К х 16бит) семейства Advanced LPSRAM |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| M5M5V216ATP-55H | 2 Mb SRAM (128К x 16 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
128 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| R1LV3216R-7S | 32 Mb SRAM из семейства Advanced LPSRAM (2M x 16 бит / 4M x 8 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
2048 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| HM62V8100-5 | 8Мб SRAM (1024К x 8 бит) с расширенным температурным диапазоном |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| R1LV0408D-7L | 4 Mb SRAM (512К x 8 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| R1LV0816ABG-7SI | 8 Мб SRAM (512К х 16бит) семейства Advanced LPSRAM |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 16 | 2.4 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| M5M5V216ATP-70H | 2 Mb SRAM (128К x 16 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
128 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
|
| R1LV1616R-5S | 16 Mb SRAM из семейства Advanced LPSRAM (1M x 16 бит / 2M x 8 бит) |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
1024 | 16 | 2.7 ... 3.6 | -40 ... 85 |
TSOPI-48 |
| HM628100I-5SL | 8Мб SRAM (1024К x 8 бит) с расширенным температурным диапазоном |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
1024 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| R1LP0408C-5S | 4 Mb SRAM (512К x 8 бит) с расширенным температурным диапазоном |
|
Renesas |
Low Power SRAM |
512 | 8 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
