Компоненты группы Flash

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
TS (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска

Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 14 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация VCC
В
TA
°C
TS
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                     
S30ML256P 256Мбит (32М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30ML-P Spansion NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - TSOPI-48
VFBGA-55
AT25DF321 32 Мб ИС последовательной Flash памяти семейства DataFlash® Atmel Corporation Serial Flash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - SOIC-16
SOIC-8
NAND08GR3B4C 8Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -40 ... 85 - ULGA-52
M25PE20 2Мб, 75МГц постраничностираемая, побайтноизменяемая последовательная Flash память с интерфейсом SPI Numonyx Serial Flash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - SOIC-8
VFQFPN-8
HY27UF084G2B 4 Гбит (512М х 8 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 - TSOPI-48
KFM1G16Q2C 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 - FBGA-63
AT25DL081 8 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 1.65 В, поблочное стирание (4 Кбайт, 32 Кбайт или 64 Кбайт), побайтовая или постраничная (256 байт) запись, функция записи/считывания двух бит за один такт Adesto Technologies Serial Flash
- 8 1.65 ... 1.95 -40 ... 85 - SOIC-8
UDFN-8
WLCSP-8
K9HBG08U1M 16 Гбит (2048М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - TLGA-52
TSOPI-48
S30ML512P 512Мбит (32М х 16 бит) ORNAND™ Flash серии S30ML-P Spansion NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - TSOPI-48
VFBGA-55
NAND08GW3B2C 8Гбит 3-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - TSOPI-48
ULGA-52
M25PE10 1Мб, 75МГц постраничностираемая, побайтноизменяемая последовательная Flash память с интерфейсом SPI Numonyx Serial Flash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - SOIC-8
VFQFPN-8
HY27UG162G5A 2 Гбит (128М х 16 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 - FBGA-63
KFG1G16U2C 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - FBGA-63
AT25DF081 8 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 1.65 В, поблочное стирание (4 Кбайт, 32 Кбайт или 64 Кбайт), побайтовая или постраничная (256 байт) запись Adesto Technologies Serial Flash
- 8 1.65 ... 1.95 -40 ... 85 - SOIC-8
UDFN-8
WLCSP-11
K9LAG08U0M 16 Гбит (2048М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - TSOPI-48
S30ML512P 512Мбит (64М х 8 бит) ORNAND™ Flash серии S30ML-P Spansion NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - TSOPI-48
VFBGA-55
AT25DF081A 8 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 2.7 В, поблочное стирание (4 Кбайт, 32 Кбайт или 64 Кбайт), побайтовая или постраничная (256 байт) запись, функция записи/считывания двух бит за один такт Adesto Technologies Serial Flash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - SOIC-8
SOIC (EIAJ) 8
UDFN-8
NAND08GR3B2C 8Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -40 ... 85 - ULGA-52
M25PE16 16Мб, 75МГц постраничностираемая, побайтноизменяемая последовательная Flash память с интерфейсом SPI Numonyx Serial Flash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 - SOIC-8
VFQFPN-8
HY27UF162G2B 2 Гбит (128М х 16 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 - TSOPI-48
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 14 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!





Мероприятия: