Компоненты группы LDMOS транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Тактовая частота: F (мин.) (МГц)
Тактовая частота: F (макс.) (МГц)
VDS (В)
P1dB (дБм)
POUT (Вт)
Gain (тип.) (дБ)
µD (%)
Согласованный
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 30 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Тактовая частота VDS
В
P1dB
дБм
POUT
Вт
Gain (тип.)
дБ
µD
%
Согласованный Корпус
F (мин.)
МГц
F (макс.)
МГц
                           
BLF8G27LS-100P Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
2500 2700 28 - 100 18 33 Да SOT-1121B
BLF8G27LS-100GV Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
2500 2700 28 - 100 17 28 Да SOT-1244C
MD7IC2755N Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2500 2700 28 44.8 10 25 25 Да TO-270WB-14
TO-270WB-14GULL
BLF7G27LS-100 LDMOS-транзистор высокой мощности NXP LDMOS транзисторы
2500 2700 28 - 100 18 28 Нет SOT-502B
BLF8G27LS-100V Силовой LDMOS-транзистор - NXP LDMOS транзисторы
2500 2700 28 - 100 17 28 Да SOT-1244B
BLF7G27L-100 LDMOS-транзистор высокой мощности NXP LDMOS транзисторы
2500 2700 28 - 100 18 28 Да SOT-502A
BLF8G27LS-100 Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
2500 2700 28 - 100 17 28 Да SOT-502B
MRF8P26080HSR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2500 2700 28 47.3 14 15 36.9 Да NI-780S-4
MRF8P26080HR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2500 2700 28 47.3 14 15 36.9 Да NI-780-4
AFT26P100-4WGSR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2496 2690 28 49.4 22 15.3 43.9 Да NI-780GS-4L
AFT26P100-4WSR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2496 2690 28 49.4 22 15.3 43.9 Да NI-780S-4L
AFT26H050W26SR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2496 2690 28 46.2 9 14.2 47.1 Да NI-780S-4L4L
AFT26HW050GSR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2496 2690 28 46.2 9 14.2 47.1 Да NI-780GS-4L4L
AFT26HW050SR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2496 2690 28 46.2 9 14.2 47.1 Да NI-780S-4L4S
AFT26H250-24SR6 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2496 2690 28 53.6 50 14.1 44.5 Да NI-1230S-4L2L
AFT26H250W03SR6 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2496 2690 28 53.6 50 14.1 44.5 Да NI-1230S-4S
AFT26H200W03SR6 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2496 2690 28 53 45 14.1 45.2 Да NI-1230S-4S
AFT26H160-4S4R3 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2496 2690 28 50 32 14.9 45.7 Да NI-880XS-4L4S
A2T26H160-24SR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2496 2690 28 51.4 28 16.4 48.1 Да NI-780S-4L2L
BLC9G27LS-150AV Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
2500 2690 28 - 150 14.8 48 Да SOT-1275-1
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 30 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019