+ BLF2425M7L140, Высокоэффективный радиочастотный LDMOS- транзистор мощностью 140 Вт для нелицензируемого диапазона частот (ISM) 2.45 ГГц
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

BLF2425M7L140 Высокоэффективный радиочастотный LDMOS- транзистор мощностью 140 Вт для нелицензируемого диапазона частот (ISM) 2.45 ГГц

 

Блок-схема

BLF2425M7L140, Высокоэффективный радиочастотный LDMOS- транзистор мощностью 140 Вт для нелицензируемого диапазона частот (ISM) 2.45 ГГц

Группа компонентов

LDMOS транзисторы

Основные параметры

Тактовая частота: F (мин.),МГц 2400
Тактовая частота: F (макс.),МГц 2500
VDS,В 28
POUT,Вт 140
Gain (тип.),дБ 18.5
µD,% 52
Согласованный Да
Корпус SOT-502A

Общее описание

Отличительные особенности:

  • Эффективность 52% и коэффициент усиления 18.5 дБ при работе на частоте 2.45 ГГц в усилителе класса АВ (непрерывный режим работы)
  • Доступны в фирменных керамических корпусах с винтовым креплением (BLF2425M7L140) или для монтажа пайкой (BLF2425M7LS140)
  • Оптимальная производительность в приложениях диапазона 2.45 ГГц (ISM)
  • Схема внутреннего согласования, упрощающая применения устройства
  • Малый температурный коэффициент сопротивления, обеспечивающий превосходную термическую стабильность
  • Высокая надежность

Область применения:

  • Промышленные, научные и медицинские приложения с рабочим диапазоном частот от 2400 МГц до 2500 МГц
Datasheet
 
BLF2425M7L(S)140 (293.2 Кб), 08.06.2015

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

BLF2425M7L(S)140 Высокоэффективный радиочастотный LDMOS- транзистор мощностью 140 Вт для нелицензируемого диапазона частот (ISM) 2.45 ГГц (293.2 Кб), 08.06.2015



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 1998 		Дата публикации: 24.01.2013 15:06
Дата редактирования: 08.06.2015 09:48

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники