Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы LDMOS транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Тактовая частота: F (мин.) (МГц)
Тактовая частота: F (макс.) (МГц)
VDS (В)
P1dB (дБм)
POUT (Вт)
Gain (тип.) (дБ)
µD (%)
Согласованный
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 6 7 8 9 10 11 12 13 14 ... 30 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Тактовая частота VDS
В		 P1dB
дБм		 POUT
Вт		 Gain (тип.)
дБ		 µD
%		 Согласованный Корпус
F (мин.)
МГц		 F (макс.)
МГц
                           
BLF8G22LS-270 Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
 2110 2170 28 - 270 17.7 30 Да SOT-502B
AFT21S232SR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2110 2170 28 53.6 50 16.7 30.5 Да NI-780S-2L
BLF8G22LS-240 Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
 2110 2170 28 - 240 19 28.5 Да SOT-502B
AFT21S230-12SR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2110 2170 28 53.6 50 16.7 30.5 Да NI-780S-2L2L
BLF8G22LS-220 Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
 2110 2170 28 - 220 17 33 Да SOT-502B
AFT21S230SR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2110 2170 28 53.6 50 16.7 30.5 Да NI-780S-2L4S
BLF8G22LS-200GV Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
 2110 2170 28 - 200 19 29 Да SOT-1244C
AFT21S220W02GSR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2110 2170 28 53.2 50 19.1 29.3 Да NI-780GS-2L
BLF8G22LS-200V Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
 2110 2170 28 - 200 19 29 Да SOT-1244B
AFT21S220W02SR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2110 2170 28 53.2 50 19.1 29.3 Да NI-780S-2L
AFT21S140W02GSR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2110 2170 28 50.5 32 19.3 33.5 Да NI-780GS-2L
AFT21S140W02SR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2110 2170 28 50.5 32 19.3 33.5 Да NI-780S-2L
AFT21H350W04GSR6 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2110 2170 28 50.4 63 16.4 47.1 Да NI-1230GS-4L
AFT21H350W03SR6 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2110 2170 28 50.4 63 16.4 47.1 Да NI-1230S-4S
AFT20P060-4GNR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 1805 2170 28 47.8 6.3 18.9 20 Да OM-780G-4L
AFT20P060-4NR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 1805 2170 28 47.8 6.3 18.9 20 Да OM-780-4L
BLF7G22LS-250P Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
 2110 2170 28 - 250 18.5 31 Да SOT-539B
A2T21H360-24SR6 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2100 2170 28 54.8 63 16.2 51.8 Да NI-1230S-4L2L
BLF7G22L-250P Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
 2110 2170 28 - 250 18.5 31 Да SOT-539A
BLF7G22LS-200 Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
 2110 2170 28 - 200 18.5 31 Да SOT-502B
Страницы: предыдущая 1 ... 6 7 8 9 10 11 12 13 14 ... 30 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники