Компоненты группы IGBT Модули

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
IF(FWD) (А)
Кол-во ключей
Конфигурация
VISO (В)
NTC
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 11 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В
Рабочий ток VCE(sat)
В
td(on) (тип.)
нс
tr (тип.)
нс
td(off) (тип.)
нс
EON (тип.)
мДж
EOFF (тип.)
мДж
PD
Вт
IF(FWD)
А
Кол-во ключей Конфигурация VISO
В
NTC TA
°C
Корпус
IC
А
При TC
°C
                                           
MII400-12E4 IGBT модуль 1200В, 420А IXYS IGBT Модули
1200 300 80 2.2 170 60 680 44 30 1700 290 2 Phase-Leg
4000 Нет -40 ... 150 Y3-Li
MDI300-12A4 IGBT модуль 1200В, 330А IXYS IGBT Модули
1200 220 80 2.2 100 60 600 32 29 1380 280 1 Чоппер
4000 Нет -40 ... 150 Y3-DCB
MID300-12A4 IGBT модуль 1200В, 330А IXYS IGBT Модули
1200 220 80 2.2 100 60 600 32 29 1380 280 1 Чоппер
4000 Нет -40 ... 150 Y3-DCB
MII300-12A4 IGBT модуль 1200В, 330А IXYS IGBT Модули
1200 220 80 2.2 100 60 600 32 29 1380 280 2 Phase-Leg
4000 Нет -40 ... 150 Y3-DCB
MUBW75-17T8 CBI3 (Converter - Brake - Inverter) Trench IGBT модуль 1700В, 113А IXYS IGBT Модули
1700 80 80 2 300 60 850 30 25 450 63 7 Три полумоста с 3-фазным выпрямителем
3400 Да -40 ... 125 E3-Pack
MIXA600AF650TSF XPT™ IGBT-модуль на 650 В, 2x720 А IXYS IGBT Модули
650 490 80 1.8 90 50 100 6 22.8 1750 340 2 Общий анод
3000 Да -40 ... 175 SimBus F
MIXA600CF650TSF XPT™ IGBT-модуль на 650 В, 2x720 А IXYS IGBT Модули
650 490 80 1.8 90 50 100 6 22.8 1750 340 2 Общий катод
3000 Да -40 ... 175 SimBus F
MIXA600PF650TSF XPT™ IGBT-модуль на 2x650 В, 720 А IXYS IGBT Модули
650 490 80 1.8 30 50 100 6 22.8 1750 340 2 Полумост
3000 Да -40 ... 175 SimBus F
MDI200-12A4 IGBT модуль 1200В, 270А IXYS IGBT Модули
1200 180 80 2.2 100 50 650 24.2 21 1130 200 1 Чоппер
4800 Нет -40 ... 150 Y3-DCB
MID200-12A4 IGBT модуль 1200В, 270А IXYS IGBT Модули
1200 180 80 2.2 100 50 650 24.2 21 1130 200 1 Чоппер
4800 Нет -40 ... 150 Y3-DCB
MII200-12A4 IGBT модуль 1200В, 270А IXYS IGBT Модули
1200 180 80 2.2 100 50 650 24.2 21 1130 200 2 Phase-Leg
4800 Нет -40 ... 150 Y3-DCB
MWI225-12E9 Sixpack NPT3 IGBT модуль 1200В, 250А IXYS IGBT Модули
1200 250 80 2.1 180 100 650 13 21 1400 205 6 Три полумоста
3400 Да -40 ... 125 E9-Pak
MWI150-12T8T Sixpack Trench IGBT модуль 1200В, 215А IXYS IGBT Модули
1200 150 80 1.7 270 50 500 15.5 20 690 132 6 Три полумоста
2500 Да -40 ... 125 E3-Pack
MII300-12E4 IGBT модуль 1200В, 280А IXYS IGBT Модули
1200 200 80 2.2 170 60 680 29 20 1100 190 2 Phase-Leg
4000 Нет -40 ... 150 Y3-Li
STK5Q4U340J-E Интеллектуальные силовые модули с рабочим напряжением до 600 В и током нагрузки 5 А ON Semiconductor IGBT Модули
600 5 100 1.8 0.0013 200 0.0015 250 20 25 - 6 Inverting
2000 Да -20 ... 100 DIP-S3
MIXA151W1200EH IGBT модуль 1200В, 220А, конструкция XPT (Xtreme light Punch Through) IXYS IGBT Модули
1200 150 80 1.8 70 40 250 14 16 695 130 6 Три полумоста
3000 Да -40 ... 125 E3-Pack
MIXA150W1200TEH IGBT модуль 1200В, 220А, конструкция XPT (Xtreme light Punch Through) IXYS IGBT Модули
1200 150 80 1.8 70 40 250 14 16 695 130 6 Три полумоста
3000 Да -40 ... 125 E3-Pack
MDI145-12A3 IGBT модуль 1200В, 160А IXYS IGBT Модули
1200 110 80 2.2 100 60 600 16 15 700 95 1 Чоппер
4800 Нет -40 ... 150 Y4-M5
MID145-12A3 IGBT модуль 1200В, 160А IXYS IGBT Модули
1200 110 80 2.2 100 60 600 16 15 700 95 1 Чоппер
4800 Нет -40 ... 150 Y4-M5
MII145-12A3 IGBT модуль 1200В, 160А IXYS IGBT Модули
1200 110 80 2.2 100 60 600 16 15 700 95 2 Phase-Leg
4800 Нет -40 ... 150 Y4-M5
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 11 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019