Компоненты группы IGBT Модули
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | VCES В |
Рабочий ток | VCE(sat) В |
td(on) (тип.) нс |
tr (тип.) нс |
td(off) (тип.) нс |
EON (тип.) мДж |
EOFF (тип.) мДж |
PD Вт |
IF(FWD) А |
Кол-во ключей | Конфигурация | VISO В |
NTC | TA °C |
Корпус | ||
| IC А |
При TC °C |
||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| FS100R12KT4G | Трехфазный EconoPIMTM3 IGBT модуль 100 А, 1200 В, с обратным диодом EmCon4 |
|
Infineon Technologies |
IGBT Модули |
1200 | 100 | - | 1.75 | - | - | - | - | - | 515 | - | - | - | 2500 | - | - | - |
| FNA21012A | Интеллектуальный модуль питания серии Motion SPM® 2 со встроенным силовым ключом с напряжением коллектор-эмиттер 1200 В |
|
Fairchild Semiconductor |
IGBT Модули |
1200 | 10 | 25 | 2.8 | 0.55 | 0.25 | 0.4 | - | - | 93 | - | 6 |
|
2500 | Да | -40 ... 150 |
|
