Компоненты группы High Speed SRAM
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | Время выборки нс |
Ток потребления | VCC В |
TA °C |
Корпус | |||
| Слов K |
Разрядов бит |
ICC мА |
ICC Shutdown мкА |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IS61QDB41M36 | Счетверенное синхронное ОЗУ объемом 36Мб (1Mx36) |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
1024 | 36 | 5 | 500 | 200 | 1.71 ... 1.89 | 0 ... 70 |
|
| W24129A | Высокоскоростная ИС статической памяти 16К х 8 |
|
Winbond |
High Speed SRAM |
16 | 8 | 12 | 160 | 10 | 2.7 ... 5.5 | 0 ... 70 |
|
| A67P93181 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ Zero Bus Latency (ZeBL) 512Кх18 |
|
AMIC Technology |
High Speed SRAM |
512 | 18 | 6.5 | - | - | 2.375 ... 2.625 | 0 ... 70 |
LQFP-100 |
| W24257AQ | Высокоскоростная статическая память 32К х 8 |
|
Winbond |
High Speed SRAM |
32 | 8 | 35 | 100 | 15 | 4.75 ... 5.25 | 0 ... 70 |
TSSOP-28 |
| A67P8336 | Быстродействующее синхронное статическое ОЗУ Zero Bus Latency (ZeBL) 256Кх36 |
|
AMIC Technology |
High Speed SRAM |
256 | 36 | 2.6 | - | - | 2.375 ... 2.625 | 0 ... 70 |
LQFP-100 |
| IDT71T016SA | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (64Кх16) и напряжением 2.5В |
|
IDT |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 10 | 160 | 5 | -40 ... 85 | 2.375 ... 2.625 |
|
| IDT71V424S | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (512Кх8) и напряжением 3.3В |
|
IDT |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 10 | 180 | 5 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
| IDT71V416L | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (256Кх16) и напряжением 3.3В |
|
IDT |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 10 | 180 | 5 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
| IDT71V416S | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (256Кх16) и напряжением 3.3В |
|
IDT |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 10 | 200 | 5 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
| IDT71V124SA | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (128Кх8) и напряжением 3.3В |
|
IDT |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 10 | 145 | 5 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
| IDT71V016SA | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (64Кх16) и напряжением 3.3В |
|
IDT |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 10 | 160 | 5 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
| IDT71V424L | Асинхронная статическая память объемом 4Мб (512Кх8) и напряжением 3.3В |
|
IDT |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 10 | 165 | 5 | -40 ... 85 | 3 ... 3.6 |
|
| IDT71128 | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (256Кх4) |
|
IDT |
High Speed SRAM |
256 | 4 | 12 | 155 | 5 | -40 ... 85 | 4.5 ... 5.5 |
|
| IDT71124 | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (128Кх8) |
|
IDT |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 12 | 160 | 5 | -40 ... 85 | 4.5 ... 5.5 |
|
| IDT71028 | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (256Кх4) |
|
IDT |
High Speed SRAM |
256 | 4 | 12 | 155 | 5 | -40 ... 85 | 4.5 ... 5.5 |
|
| IDT71024S | Асинхронная статическая память объемом 1Мб (128Кх8) |
|
IDT |
High Speed SRAM |
128 | 8 | 12 | 160 | 5 | -40 ... 85 | 4.5 ... 5.5 |
|
