Компоненты группы High Speed SRAM
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Организация | Время выборки нс |
Ток потребления | VCC В |
TA °C |
Корпус | |||
| Слов K |
Разрядов бит |
ICC мА |
ICC Shutdown мкА |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IDT71256S | Асинхронная статическая память объемом 256К (32Кх8) |
|
IDT |
High Speed SRAM |
32 | 8 | 20 | 150 | 20 | 4.5 ... 5.5 | -55 ... 125 |
PDIP-28 |
| IS61C256AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 32х8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
32 | 8 | 10 | - | 350 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| IS61C64AL | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 8Кх8 |
|
ISSI |
High Speed SRAM |
8 | 8 | 10 | 25 | 350 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| A615308 | Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 32Кх8 |
|
AMIC Technology |
High Speed SRAM |
32 | 8 | 12 | 80 | 68 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 125 |
|
| 1645РУ2 | Микросхема оперативно запоминающего устройства статического типа емкостью 64 Кбит (8К x 8 бит) с повышенной стойкостью к воздействию специальных факторов |
|
Миландр |
High Speed SRAM |
8 | 8 | 55 | 160 | 3000 | 4.5 ... 5.5 | -60 ... 125 |
4119.28-6 |
| CY7C1006BN | Статическая память 256K x 4 |
|
Cypress |
High Speed SRAM |
256 | 4 | 15 | 80 | 5 | 4.5 ... 5.5 | -45 ... 85 |
|
| K6R4004C1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 1Мх4 с напряжением питания 5.0В |
|
Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
1024 | 4 | 10 | 75 | 5 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| K6R4008C1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 512Кх8 с напряжением питания 5.0В |
|
Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 10 | 75 | 5 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| K6R4016C1D | Быстродействующая асинхронная SRAM 256Кх16 с напряжением питания 5.0В |
|
Samsung Electronics |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 10 | 65 | 5 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| AS7C4098A | Асинхронная статическая память 256Кх16 и напряжением питания 5В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
256 | 16 | 10 | 20 | 1 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| AS7C4096A | Асинхронная статическая память 512Кх8 и напряжением питания 5В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
512 | 8 | 10 | 20 | 1 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| AS7C1029 | Асинхронная статическая память 256Кх4 и напряжением питания 5В |
|
Alliance Memory |
High Speed SRAM |
256 | 4 | 12 | 50 | 5 | 4.5 ... 5.5 | -40 ... 85 |
|
| W24257AS | Высокоскоростная статическая память 32К х 8 |
|
Winbond |
High Speed SRAM |
32 | 8 | 35 | 100 | 15 | 4.75 ... 5.25 | 0 ... 70 |
|
| W26020A | Высокоскоростная ИС статической памяти 128К х 16 |
|
Winbond |
High Speed SRAM |
128 | 16 | 16 | 220 | 50 | 4.75 ... 5.25 | 0 ... 70 |
|
| W26010A | Высокоскоростная ИС статической памяти 64К х 16 |
|
Winbond |
High Speed SRAM |
64 | 16 | 15 | 260 | 50 | 4.75 ... 5.25 | -40 ... 85 |
|
| W24257AQ | Высокоскоростная статическая память 32К х 8 |
|
Winbond |
High Speed SRAM |
32 | 8 | 35 | 100 | 15 | 4.75 ... 5.25 | 0 ... 70 |
TSSOP-28 |
