Компоненты группы High Speed SRAM

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
Время
выборки (нс)
Ток потребления: ICC (мА)
Ток потребления: ICC Shutdown (мкА)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 12 13 14 15 16  

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация Время
выборки
нс
Ток потребления VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
ICC
мА
ICC Shutdown
мкА
                         
GS71108A Асинхронная память объемом 1Mb (128Kx8) GSI Technology High Speed SRAM
128 8 7 140 1 2.7 ... 3.3 -40 ... 85 FBGA-48
SOJ-32
TSOPII-32
IS62WV1288BLL Малопотребляющее статическое ОЗУ 128Кх8 ISSI High Speed SRAM
128 8 45 17 10 2.5 ... 3.6 -40 ... 85 BGA-36
SOP-32
STSOP-32
TSOPI-32
W24512A Высокоскоростная ИС статической памяти 64К х 8 Winbond High Speed SRAM
64 8 15 160 10 2.7 ... 5.5 0 ... 70 SOJ-32
TSOP-32
IS62WV1288ALL Малопотребляющее статическое ОЗУ 128Кх8 ISSI High Speed SRAM
128 8 70 8 10 1.65 ... 2.2 -40 ... 85 BGA-36
SOP-32
STSOP-32
TSOPI-32
W24129A Высокоскоростная ИС статической памяти 16К х 8 Winbond High Speed SRAM
16 8 12 160 10 2.7 ... 5.5 0 ... 70 SOJ-28 (300mil)
AS7C4096A Асинхронная статическая память 512Кх8 и напряжением питания 5В Alliance Memory High Speed SRAM
512 8 10 20 1 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 SOJ-36 (400mil)
TSOPII-44
W24257AQ Высокоскоростная статическая память 32К х 8 Winbond High Speed SRAM
32 8 35 100 15 4.75 ... 5.25 0 ... 70 TSSOP-28
IS61LV256AL Быстродействующее асинхронное статическое ОЗУ 512х8 ISSI High Speed SRAM
512 8 10 25 50 3 ... 3.6 -40 ... 85 SOJ-28 (300mil)
TSOP-28
IDT71V424L Асинхронная статическая память объемом 4Мб (512Кх8) и напряжением 3.3В IDT High Speed SRAM
512 8 10 165 5 -40 ... 85 3 ... 3.6 SOJ-36 (400mil)
SOJ-44
TSOPII-44
AS7C1028 Асинхронная статическая память 256Кх4 и напряжением питания 5В Alliance Memory High Speed SRAM
256 4 12 50 5 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 SOJ-28 (300mil)
IDT71128 Асинхронная статическая память объемом 1Мб (256Кх4) IDT High Speed SRAM
256 4 12 155 5 -40 ... 85 4.5 ... 5.5 SOJ-32
IDT71028 Асинхронная статическая память объемом 1Мб (256Кх4) IDT High Speed SRAM
256 4 12 155 5 -40 ... 85 4.5 ... 5.5 SOJ-28 (300mil)
GS74104A Асинхронная статическая память объемом 4Мб (1M x 4) GSI Technology High Speed SRAM
1024 4 8 120 2 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TSOPII-44
CY7C1006BN Статическая память 256K x 4 Cypress High Speed SRAM
256 4 15 80 5 4.5 ... 5.5 -45 ... 85 SOJ-28 (300mil)
K6R4004C1D Быстродействующая асинхронная SRAM 1Мх4 с напряжением питания 5.0В Samsung Electronics High Speed SRAM
1024 4 10 75 5 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 SOJ-32
AS7C1029 Асинхронная статическая память 256Кх4 и напряжением питания 5В Alliance Memory High Speed SRAM
256 4 12 50 5 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 SOJ-32
Страницы: предыдущая 1 ... 12 13 14 15 16  




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019