Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IPB80P03P4-05 | P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | - | 3.8 | -80 | 137 |
TO-263-3 |
| IPD90P03P4-04 | P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | - | 3.6 | -90 | 137 |
TO-252 |
| IPD50P03P4L-11 | P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | 13 | 8.3 | -50 | 58 |
TO-252 |
| IPD80P03P4L-07 | P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | 8.7 | 5.6 | -80 | 88 |
TO-252 |
| IPD90P03P4L-04 | P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | 5.1 | 3.3 | -90 | 137 |
TO-252 |
| IPP80P03P4L-04 | P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | 5 | 3.7 | -80 | 137 |
TO-220 |
| IPI80P03P4L-04 | P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | 5 | 3.7 | -80 | 137 |
TO-262 |
| IPB80P03P4L-04 | P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | 4.7 | 3.4 | -80 | 137 |
TO-263-3 |
| IPP80P03P4L-07 | P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | 8.3 | 5.9 | -80 | 88 |
TO-220 |
| IPI80P03P4L-07 | P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | 8.3 | 5.9 | -80 | 88 |
TO-262 |
| IPB80P03P4L-07 | P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | 8 | 5.6 | -80 | 88 |
TO-263-3 |
| IPP45P03P4L-11 | P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | 13.1 | 9 | -45 | 58 |
TO-220 |
| IPI45P03P4L-11 | P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | 13.1 | 9 | -45 | 58 |
TO-262 |
| IPB45P03P4L-11 | P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | 12.8 | 8.7 | -45 | 58 |
TO-263-3 |
| IPP80P03P4-05 | P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | - | 4.1 | -80 | 137 |
TO-220 |
| IPI80P03P4-05 | P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | - | 4.1 | -80 | 137 |
TO-262 |
| BTF3050TE | Транзисторные ключи нижнего плеча семейства HITFET™ с функцией защиты |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 5 | - | - | - | 100 | - | 3 | - |
|
| BSC019N02KS | Силовой MOSFET-транзистор серии OptiMOS™3, 20 В, 100 А, 1.95 мОм |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 20 | - | 3 | - | 1.95 | - | 100 | 104 |
|
| BSZ014NE2LS5IF | Силовые N-канальные MOSFETS-транзисторы семейства OptiMOS™ 5 с напряжением сток-исток 25 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 25 | - | - | - | 2.1 | 1.45 | 40 | 69 |
|
| BSC026NE2LS5 | Силовые N-канальные MOSFETS-транзисторы семейства OptiMOS™ 5 с напряжением сток-исток 25 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 25 | - | - | - | 4 | 2.6 | 82 | 29 |
|
