Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IPA80R280P7 | Силовой транзистор CoolMOS P7 с напряжением сток-исток 800 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 280 | 17 | 30 |
|
| IPP80R450P7 | Силовой транзистор CoolMOS P7 с напряжением сток-исток 800 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 450 | 11 | 73 |
TO-220 |
| IPD80R450P7 | Силовой транзистор CoolMOS P7 с напряжением сток-исток 800 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 450 | 11 | 73 |
TO-252 |
| IPA80R450P7 | Силовой транзистор CoolMOS P7 с напряжением сток-исток 800 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 450 | 11 | 29 |
|
| IPS80R1K4P7 | Силовой транзистор CoolMOS P7 с напряжением сток-исток 800 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 1400 | 4 | 32 |
|
| IPU80R1K4P7 | Силовой транзистор CoolMOS P7 с напряжением сток-исток 800 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 1400 | 4 | 32 |
|
| IPP80R1K4P7 | Силовой транзистор CoolMOS P7 с напряжением сток-исток 800 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 1400 | 4 | 32 |
TO-220 |
| IPD80R1K4P7 | Силовой транзистор CoolMOS P7 с напряжением сток-исток 800 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 1400 | 4 | 32 |
TO-252 |
| IPA80R1K4P7 | Силовой транзистор CoolMOS P7 с напряжением сток-исток 800 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 1400 | 4 | 24 |
|
| IPU80R1K0CE | Силовые MOSFET-транзисторы CoolMOS™ CE с рабочим напряжением 800 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 950 | 18 | 83 |
|
| IPU80R4K5P7 | Силовой транзистор CoolMOS P7 с напряжением сток-исток 800 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 4500 | 1.5 | 13 |
|
| IPD80R1K0CE | Силовые MOSFET-транзисторы CoolMOS™ CE с рабочим напряжением 800 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 950 | 18 | 83 |
TO-252 |
| IPD80R4K5P7 | Силовой транзистор CoolMOS P7 с напряжением сток-исток 800 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 4500 | 1.5 | 13 |
|
| IPU80R1K4CE | Силовые MOSFET-транзисторы CoolMOS™ CE с рабочим напряжением 800 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 1400 | 12 | 63 |
|
| IPD80R1K4CE | Силовые MOSFET-транзисторы CoolMOS™ CE с рабочим напряжением 800 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 1400 | 12 | 63 |
TO-252 |
| IPU80R2K8CE | Силовые MOSFET-транзисторы CoolMOS™ CE с рабочим напряжением 800 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 2800 | 6 | 42 |
|
| IPD80R2K8CE | Силовые MOSFET-транзисторы CoolMOS™ CE с рабочим напряжением 800 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 2800 | 6 | 42 |
TO-252 |
| IPAN80R280P7 | Силовой транзистор CoolMOS P7 с напряжением сток-исток 800 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 280 | 17 | 30 |
|
| IPAN80R450P7 | Силовой транзистор CoolMOS P7 с напряжением сток-исток 800 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 450 | 11 | 29 |
|
| IPW80R280P7 | Силовой транзистор CoolMOS P7 с напряжением сток-исток 800 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 280 | 17 | 101 |
|
