Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IPD160N04L | N-канальный, 40 В, мощный MOSFET серии OptiMOS®3 |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | 18.4 | 13.3 | 30 | 31 |
TO-252 |
| IPP120N06S4-02 | N-Channel 60V MOSFET OptiMOS®-T2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 2.4 | 120 | 188 |
TO-220 |
| IPI600N25N3-G | OptiMOS™-3 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 250 | - | - | - | - | 51 | 25 | 136 |
TO-262 |
| IPP060N06N | Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 45 А |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 6 | 45 | 83 |
|
| IPP80R280P7 | Силовой транзистор CoolMOS P7 с напряжением сток-исток 800 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 280 | 17 | 101 |
TO-220 |
| IPB60R280C6 | 600V CoolMOS™ C6 Power Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 250 | 13.8 | 104 |
|
| IPP80N06S4L-07 | N-Channel 60V MOSFET OptiMOS®-T2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 7.9 | 5.5 | 80 | 79 |
TO-220 |
| BSZ160N10NS3 | Силовой MOSFET-транзситор серии OptiMOS®3, 100 В, 40 А, 16 мОм |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 16 | 40 | 63 |
|
| IPB027N10N3 G | MOSFET-транзистор с напряжением сток-исток 100 В, выполненный по технологии OptiMOS™ |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 2.7 | 120 | 300 |
TO-263-3 |
| IPD90N06S4L-03 | N-Channel 60V MOSFET OptiMOS®-T2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 3.7 | 2.7 | 90 | 150 |
TO-252 |
| IPI024N06N3G | OptiMOS™ 3 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 2.1 | 120 | 250 |
TO-262 |
| IPD025N06N | Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 90 А |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 2.5 | 90 | 167 |
TO-252 |
| IPZ60R099C7 | N-канальный MOSFET-транзистор серии CoolMOS™ C7 с напряжением сток-исток 600 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 99 | 22 | 110 |
|
| IPA60R125C6 | 600V CoolMOS™ C6 Power Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 110 | 30 | 34 |
TO-220F |
| IPI90N06S4L-04 | N-Channel 60V MOSFET OptiMOS®-T2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 3.9 | 3 | 90 | 150 |
TO-262 |
| BSC600N25NS3 | Силовой MOSFET-транзистор серии OptiMOS™3, 250 В, 25 А, 60 мОм |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 250 | - | - | - | - | 60 | 25 | 125 |
|
| IPP023N04NG | Силовой MOSFET транзистор семейства OptiMOS 3 |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | - | 2.3 | 90 | 167 |
|
| IPP60R520C6 | 600V CoolMOS™ C6 Power Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 470 | 8.1 | 66 |
TO-220 |
| IPB80P03P4-05 | P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | - | 3.8 | -80 | 137 |
TO-263-3 |
| IPB065N15N3 | Силовой MOSFET-транзситор серии OptiMOS®3, 150 В, 130 А, 6.5 мОм |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 150 | - | - | - | - | 6.5 | 130 | 300 |
D2-PAK-7 |
