Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| BSC019N02KS | Силовой MOSFET-транзистор серии OptiMOS™3, 20 В, 100 А, 1.95 мОм |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 20 | - | 3 | - | 1.95 | - | 100 | 104 |
|
| IPD160N04L | N-канальный, 40 В, мощный MOSFET серии OptiMOS®3 |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | 18.4 | 13.3 | 30 | 31 |
TO-252 |
| IPB80P03P4-05 | P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | - | 3.8 | -80 | 137 |
TO-263-3 |
| IPP060N06N | Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 45 А |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 6 | 45 | 83 |
|
| IPP60R520C6 | 600V CoolMOS™ C6 Power Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 470 | 8.1 | 66 |
TO-220 |
| IPI600N25N3-G | OptiMOS™-3 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 250 | - | - | - | - | 51 | 25 | 136 |
TO-262 |
| BSZ014NE2LS5IF | Силовые N-канальные MOSFETS-транзисторы семейства OptiMOS™ 5 с напряжением сток-исток 25 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 25 | - | - | - | 2.1 | 1.45 | 40 | 69 |
|
| IPP120N06S4-02 | N-Channel 60V MOSFET OptiMOS®-T2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 2.4 | 120 | 188 |
TO-220 |
| IPB065N15N3 | Силовой MOSFET-транзситор серии OptiMOS®3, 150 В, 130 А, 6.5 мОм |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 150 | - | - | - | - | 6.5 | 130 | 300 |
D2-PAK-7 |
| IPP80R280P7 | Силовой транзистор CoolMOS P7 с напряжением сток-исток 800 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 280 | 17 | 101 |
TO-220 |
| IPD90P03P4-04 | P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | - | 3.6 | -90 | 137 |
TO-252 |
| IPP040N06N | Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 80 А |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 4 | 80 | 107 |
|
| IPA60R520C6 | 600V CoolMOS™ C6 Power Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 470 | 8.1 | 29 |
TO-220F |
| IPP600N25N3-G | OptiMOS™-3 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 250 | - | - | - | - | 51 | 25 | 136 |
|
| BSC026NE2LS5 | Силовые N-канальные MOSFETS-транзисторы семейства OptiMOS™ 5 с напряжением сток-исток 25 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 25 | - | - | - | 4 | 2.6 | 82 | 29 |
|
| IPI120N06S4-02 | N-Channel 60V MOSFET OptiMOS®-T2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 2.4 | 120 | 188 |
TO-262 |
| IPI075N15N3 | Силовой MOSFET-транзситор серии OptiMOS®3, 150 В, 100 А, 7.5 мОм |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 150 | - | - | - | - | 7.5 | 100 | 300 |
TO-262 |
| IPD80R280P7 | Силовой транзистор CoolMOS P7 с напряжением сток-исток 800 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 280 | 17 | 101 |
TO-252 |
| IPD50P03P4L-11 | P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | 13 | 8.3 | -50 | 58 |
TO-252 |
| IPP029N06N | Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 100 А |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 2.9 | 100 | 136 |
|
