Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IPI60R280C6 | 600V CoolMOS™ C6 Power Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 250 | 13.8 | 104 |
TO-262 |
| IPP320N20N3-G | OptiMOS™-3 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 28 | 34 | 136 |
|
| BSB056N10NN3 G | MOSFET-транзистор с напряжением сток-исток 100 В, выполненный по технологии OptiMOS™ |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 5.6 | 83 | 78 |
|
| IPD50N06S4L-08 | N-Channel 60V MOSFET OptiMOS®-T2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 9 | 6.3 | 50 | 71 |
TO-252 |
| IPI030N10N3 | Силовой MOSFET-транзситор серии OptiMOS®3, 100 В, 100 А, 3.0 мОм |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 3 | 100 | 300 |
TO-262 |
| IPA80R1K4P7 | Силовой транзистор CoolMOS P7 с напряжением сток-исток 800 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 1400 | 4 | 24 |
|
| IPB80N06S4L-07 | N-Channel 60V MOSFET OptiMOS®-T2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 7.6 | 5.2 | 80 | 79 |
TO-263-3 |
| BSC039N06NS | Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 100 А |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 3.9 | 100 | 69 |
|
| IPP60R280C6 | 600V CoolMOS™ C6 Power Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 250 | 13.8 | 104 |
TO-220 |
| IPB320N20N3-G | OptiMOS™-3 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 28 | 34 | 136 |
TO-263-3 |
| IPU80R1K0CE | Силовые MOSFET-транзисторы CoolMOS™ CE с рабочим напряжением 800 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 950 | 18 | 83 |
|
| IPD90N06S4L-06 | N-Channel 60V MOSFET OptiMOS®-T2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 7.4 | 5 | 90 | 79 |
TO-252 |
| IPP030N10N3 | Силовой MOSFET-транзситор серии OptiMOS®3, 100 В, 100 А, 3.0 мОм |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 3 | 100 | 300 |
TO-220 |
| IPU80R4K5P7 | Силовой транзистор CoolMOS P7 с напряжением сток-исток 800 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 4500 | 1.5 | 13 |
|
| IPP80N06S4L-05 | N-Channel 60V MOSFET OptiMOS®-T2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 5.7 | 4.2 | 80 | 107 |
TO-220 |
| BSC028N06NS | Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 100 А |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 2.8 | 100 | 83 |
|
| IPA60R280C6 | 600V CoolMOS™ C6 Power Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 250 | 13.8 | 32 |
TO-220F |
| IPD80R1K0CE | Силовые MOSFET-транзисторы CoolMOS™ CE с рабочим напряжением 800 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 950 | 18 | 83 |
TO-252 |
| IPD90N06S4L-05 | N-Channel 60V MOSFET OptiMOS®-T2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 5.3 | 3.7 | 90 | 107 |
TO-252 |
| BSC010NE2LS | Силовой MOSFET-транзистор серии OptiMOS™3, 25 В, 100 А, 1.0 мОм |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 25 | - | - | - | 1.3 | 1 | 100 | 96 |
|
