BSB056N10NN3 G MOSFET-транзистор с напряжением сток-исток 100 В, выполненный по технологии OptiMOS™

Блок-схема

Группа компонентов

Основные параметры

Общее описание

Отличительные особенности:

• Превосходные характеристики переключения
• Самое низкое в мире сопротивление открытого канала R_DS(ON)
• Очень низкое значение заряда затвора Q_G и Q_GD
• Улучшенное на 30% значение добротности (Q_G x R_DS(ON))

Преимущества:

• Высочайшая плотность мощности
• Уменьшение необходимого количества параллельно включаемых транзисторов для увеличения нагрузочного тока
• Самая малая монтажная площадь
• Лёгко применимый для проектирования продукт

Область применения:

• AC/DC инверторы
• Местная вытяжная вентиляция (LEV)
• Адаптеры питания
• Потребительская электроника
• Преобразователи постоянного напряжения
• Схемы управления двигателем
• Мощные инструменты
• Импульсные источники питания
• Солнечная энергетика
• Телекоммуникации

BSB056N10NN3 G

Infineon Technologies

Поставки и консультации:

EBV Elektronik

http://www.ebv.com/

Дистрибуторы

• EBV Elektronik
• ЭФО
• Симметрон

Дилеры

• Чиптрэйд
• Элкотех
• ГАММА. Выборг
• СКАНТИ Рус
• СМД Компонент
• Золотой Шар

Где купить ещё