Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IPP120N06S4-03 | N-Channel 60V MOSFET OptiMOS®-T2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 2.6 | 120 | 167 |
TO-220 |
| IPA50R500CE | 500В силовой транзистор серии CoolMOS™ CE |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 500 | 24 | 28 |
|
| IPAN80R450P7 | Силовой транзистор CoolMOS P7 с напряжением сток-исток 800 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 450 | 11 | 29 |
|
| IPD105N04L | N-канальный, 40 В, мощный MOSFET серии OptiMOS®3 |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | 12 | 8.8 | 40 | 42 |
TO-252 |
| IPP80P03P4-05 | P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | - | 4.1 | -80 | 137 |
TO-220 |
| IPT007N06N | NOSFET-транзистор семейства OptiMOS™ в безвыводном корпусе TO, 60В, 300А |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 0.75 | 300 | 375 |
|
| IPA60R600C6 | 600V CoolMOS™ C6 Power Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 540 | 7.3 | 28 |
TO-220F |
| BUZ31H3045A | SIPMOS™ Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 160 | 14.5 | 95 |
TO-263-3 |
| BSZ0506NS | Силовые N-канальные MOSFETS-транзисторы семейства OptiMOS™ 5 с напряжением сток-исток 30 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 5.3 | 4.4 | 40 | 27 |
|
| IPI120N06S4-03 | N-Channel 60V MOSFET OptiMOS®-T2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 2.6 | 120 | 167 |
TO-262 |
| IPA50R950CE | 500В силовой транзистор серии CoolMOS™ CE |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 950 | 12.8 | 26 |
|
| IPW80R280P7 | Силовой транзистор CoolMOS P7 с напряжением сток-исток 800 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 280 | 17 | 101 |
|
| IPD088N04L | N-канальный, 40 В, мощный MOSFET серии OptiMOS®3 |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | 10.1 | 7.3 | 50 | 47 |
TO-252 |
| IPI80P03P4-05 | P-Channel 30V MOSFET OptiMOS®-P2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
P | 1 | -30 | - | - | - | - | 4.1 | -80 | 137 |
TO-262 |
| IPT004N03L | NOSFET-транзистор семейства OptiMOS™ в безвыводном корпусе TO, 30В, 300А |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 0.5 | 0.4 | 300 | 300 |
|
| IPD60R520C6 | 600V CoolMOS™ C6 Power Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 470 | 8.1 | 66 |
TO-252 |
| BUZ32H3045A | SIPMOS™ Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 300 | 9.5 | 75 |
TO-263-3 |
| BSZ0501NSI | Силовые N-канальные MOSFETS-транзисторы семейства OptiMOS™ 5 с напряжением сток-исток 30 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 2.5 | 2 | 40 | 50 |
|
| IPB120N06S4-03 | N-Channel 60V MOSFET OptiMOS®-T2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 2.3 | 120 | 167 |
TO-263-3 |
| BSZ520N15NS3 | Силовой MOSFET-транзситор серии OptiMOS®3, 150 В, 21 А, 52 мОм |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 150 | - | - | - | - | 52 | 21 | 57 |
|
