Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IXTA05N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 30000 30000 30000 30000 30000 0.5 50 TO-263
STD5NK50Z N-CHANNEL 500V - 1.22? - 4.4A D/IPAK Zener-Protected SuperMESH™MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 500 - - - - 1220 4.4 70 D-PAK
I-PAK
NVMFS5C604NL N-канальный MOSFET-транзистор поколения Trench 6 с напряжением сток-исток 60 В ON Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - 1.7 1.2 287 200 DFN-5
IXFR30N60P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 600 250 250 250 250 250 15 166 ISOPLUS247
Si8901EDB Bi-Directional P-Channel 20-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 1 20 81 - 62 48 - 3.5 1 Micro Foot
NTD5805N Power MOSFET 40V 51A 9.5 mOhm Single N-Channel DPAK ON Semiconductor MOSFET
N 1 40 - - - 10.9 7.6 51 47 D-PAK
STI19NM65N N-channel 650 V - 0.25 ? - 15.5 A - I2PAK second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 650 - - - - 250 15.5 150 I2PAK
SiE820DF N-Channel 20-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 20 - - 5.3 2.9 - 50 104 PolarPAK
TSM3400CX N-канальный MOSFET транзистор, 30 В, 5.8 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 30 - 52 - 33 28 5.8 1.4 SOT-23-3
IXTP8N50PM Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 500 800 800 800 800 800 4 41 TO-220-3 ISO
HUF75652G3 N-Channel UltraFET Power MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 100 - - - - 6.7 75 515 TO-247
IRF9Z10 HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
P 1 60 - - - - 500 6.7 43 TO-220AB
ZVP2120G SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Zetex MOSFET
P 1 -200 - - - - 25000 -0.2 2 SOT-223-4
STF15NM60N N-channel 600V - 0.270? - 14A - TO-220FP Second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 270 14 30 TO-220FP
IRFI840GLC HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 500 - - - - 850 4.5 40 TO-220F
IXTA6N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 1000 2200 2200 2200 2200 2200 6 300 TO-263
NTE4153N Small Signal MOSFET 20 V, 915 mA, Single N?Channel with ESD Protection, SC?89 ON Semiconductor MOSFET
N 1 20 242 - - 127 - 915 300 SC?89
IRFP15N60LPBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
n 1 600 - - - - 385 15 280 TO-247AC
ZXMN6A25G 60V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFET Zetex MOSFET
N 1 60 - - - 70 50 6.7 2 SOT-223-4
STP40NF10 N-channel 100V - 0.025? - 50A TO-220 Low gate charge STripFET™ II Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 100 - - - - 25 50 150 TO-220
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019