Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IPP60R600C6 600V CoolMOS™ C6 Power Transistor Infineon Technologies MOSFET
N 1 600 - - - - 540 7.3 63 TO-220
NTR2101P Small Signal MOSFET ?8.0 V, ?3.7 A, Single P?Channel, SOT?23 ON Semiconductor MOSFET
P 1 -8 79 - - 39 - -3.7 0.96 SOT-23-3
IRFZ48RSPBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 60 - - - - 18 50 190 D2-PAK
STF19NF20 N-channel 200V - 0.15? - 15A - TO-220FP MESH OVERLAY™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 200 - - - - 150 15 25 TO-220FP
FDU8782 N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 25 - - - 11 8.5 35 50 I-PAK
TO-251 AA
IXFX420N10T N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
N 1 100 2.6 2.6 2.6 2.6 2.6 420 1670 TO-247
IRLR024N HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 55 - - - 110 65 17 38 D-PAK
ZXMP4A16G 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Zetex MOSFET
P 1 -40 - - - 100 60 -6.4 2 SOT-223-4
NTA4151P Small Signal MOSFET ?20 V, ?760 mA, Single P?Channel, Gate Zener, SC?75 ON Semiconductor MOSFET
P 1 20 490 - - 260 - 0.76 0.301 SC75
IRFD220PBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 200 - - - - 800 0.8 1 HEXDIP
STP85NF55 N-CHANNEL 55V - 0.0062? - 80A - TO-220 STripFET™ II POWER MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 55 - - - - 6.2 80 300 TO-220
IXTP120N075T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 75 7.7 7.7 7.7 7.7 7.7 120 250 TO-220
IXFN48N55 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 550 110 110 110 110 110 48 600 SOT-227 B
IRFS23N15D HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 150 - - - - 90 23 3.8 D2-PAK
DMN3050S N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
N 1 30 - - - 40 27 5.2 1.4 SOT-23-3
STE45NK80ZD N-channel 800V - 0.11? - 45A ISOTOP Super FREDmesh™ MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 800 - - - - 110 45 600 ISOTOP
FDMS8672AS 30V N-Channel PowerTrench SyncFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 30 - - - 5.4 4 18 2.5 Power 56
STD100NH03L N-channel 30V - 0.005? - 60A - DPAK STripFET™ III Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 30 - - - - 5 60 100 D-PAK
IXFR30N60P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 600 250 250 250 250 250 15 166 ISOPLUS247
IXTA05N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 30000 30000 30000 30000 30000 0.5 50 TO-263
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019