Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
STP40NF10 N-channel 100V - 0.025? - 50A TO-220 Low gate charge STripFET™ II Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 100 - - - - 25 50 150 TO-220
IRFU4105 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 55 - - - - 45 27 48 I-PAK
STF6NK70Z N-channel 700V - 1.5? - 5A - TO-220FP Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 700 - - - - 1500 5 30 TO-220FP
IXTP42N15T N-канальный силовой TrenchMV MOSFET транзистор IXYS MOSFET
N 1 100 45 45 45 45 45 42 200 TO-220
IRF634PBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 250 - - - - 450 8.1 74 TO-220AB
FDP8030L N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 30 - - - 3.6 3.1 80 187 TO-220
IXFX88N20Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 200 30 30 30 30 30 88 500 PLUS247
STB270N4F3 N-channel 40 V - 2.1 m? - 160 A - D2PAK STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 40 - - - - 2.1 160 330 D2-PAK
IRF8113 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 30 - - - 7.4 6 17.2 2.5 SOIC-8
STW12NM60N N-channel 600V - 0.35? - 10A - TO-247 Second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 350 10 90 TO-247
IXFH12N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 1050 1050 1050 1050 1050 12 463 TO-247
Si3469DV P-Channel 20-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 1 20 - - - 41 24 5 1.14 TSOP-6
SQJ848EP Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET Vishay MOSFET
N 1 40 - - - 12 9 30 68 PowerPAK_SO-8
TSM2323CX P-канальный MOSFET транзистор, -20 В, -4.7 А Taiwan Semiconductor MOSFET
P 1 -20 68 52 - 39 - 4.7 1.25 SOT-23-3
STD8NM60N N-channel 600 V - 0.56 ? - 7 A - IPAK - DPAK second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 560 7 70 D-PAK
I-PAK
Si7192DP N-Channel 30-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 30 - - - 18.5 15.5 60 104 PowerPAK_SO-8
IXTP08N120P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1200 25000 25000 25000 25000 25000 0.8 50 TO-220
FQP14N30 300V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 300 - - - - 230 14.4 147 TO-220
FQU9N25 250V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 250 - - - - 330 7.4 55 I-PAK
BSC047N08NS3 Силовой MOSFET-транзистор серии OptiMOS™3, 80 В, 100 А, 4.7 мОм Infineon Technologies MOSFET
N 1 80 - - - - 4.7 100 125 SON-8
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019