Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 17 18 19 20 21 22 23 24 25 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
NTGS3433T1 MOSFET ?3.3 Amps, ?12 Volts P?Channel TSOP?6 ON Semiconductor MOSFET
P 1 -12 - - - 55 - -3.3 2 TSOP-6
NTJS3151P Trench Power MOSFET 12 V, 3.3 A, Single P?Channel, ESD Protected SC?88 ON Semiconductor MOSFET
P 1 -12 133 - - 45 - -2.7 0.625 SC-88
FDN306P P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
P 1 -12 54 39 - 30 - -10 0.5 SuperSOT -3
NTR2101P Small Signal MOSFET ?8.0 V, ?3.7 A, Single P?Channel, SOT?23 ON Semiconductor MOSFET
P 1 -8 79 - - 39 - -3.7 0.96 SOT-23-3
NTHS2101P Power MOSFET ?8.0 V, ?7.5 A P?Channel ChipFET ON Semiconductor MOSFET
P 1 -8 34 - - 19 - -5.4 1.3 ChipFET_1206-8
NTHD2102P Power MOSFET ?8.0 V, ?4.6 A Dual P?Channel ChipFET ON Semiconductor MOSFET
P 2 -8 100 - - 50 - -3.4 1.1 ChipFET_1206-8
NTS2101P Power MOSFET ?8.0 V, ?1.4 A, Single P?Channel, SC?70 ON Semiconductor MOSFET
P 1 -8 117 - - 65 - -1.4 0.29 SOT-23-3
NTLJS1102P Power MOSFET ?8 V, ?8.1 A, COOL Single P?Channel, 2x2 mm, WDFN package ON Semiconductor MOSFET
P 1 -8 - - - 45 25 -6.2 1.9 WDFN6
NTGS1135P Power MOSFET ?8 V, ?5.8 A, Single P?Channel, TSOP?6 ON Semiconductor MOSFET
P 1 -8 37 - - 22 - -4.6 0.97 TSOP-6
NTJD2152P Trench Small Signal MOSFET 8 V, Dual P?Channel, SC?88 ESD Protection ON Semiconductor MOSFET
P 2 -8 510 - - 220 - -0.775 0.27 SC-88
STW130NS04ZB N-channel clamped - 7 m? - 80A TO-247 Fully protected mesh overlay™ MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 0 - - - - 7 80 300 TO-247
STW130NS04ZB N-channel clamped - 7 m? - 80A I?PAK Fully protected mesh overlay™ MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 0 - - - - 7 80 300 I2PAK
STP80NS04ZB N-CHANNEL CLAMPED 7.5mW - 80A TO-220 FULLY PROTECTED MESH OVERLAY™ MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 0 - - - - 8 80 200 TO-220
STP130NS04ZB N-channel clamped - 7 m? - 80A TO-220 Fully protected mesh overlay™ MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 0 - - - - 7 80 300 TO-220
STP75NS04Z N-channel Clamped - 7m? - 80A - TO-220 Fully protected MESH Overlay™ III Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 0 - - - - 7 80 110 TO-220
STP60NS04ZB N-channel clamped - 10m? - 60A - TO-220 Fully protected Mesh Overlay™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 0 - - - - 11 60 150 TO-220
STP62NS04Z N-channel clamped 12.5m? - 62A - TO-220 Fully protected MESH OVERLAY™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 0 - - - - 12.5 62 110 TO-220
STP60NS04ZB N-channel clamped - 10m? - 60A - TO-220 Fully protected Mesh Overlay™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 0 - - - - 11 60 150 TO-220
STP62NS04Z N-channel clamped 12.5m? - 62A - TO-220 Fully protected MESH OVERLAY™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 0 - - - - 12.5 62 110 TO-220
IRLD120 HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 1 - - - - 270 1.3 1.3 HEXDIP
Страницы: предыдущая 1 ... 17 18 19 20 21 22 23 24 25 ... 431 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019