Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IRFIBF30GPBF | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 900 | - | - | - | - | 3700 | 1.9 | 35 |
TO-220F |
| IRFIBF30G | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 900 | - | - | - | - | 3700 | 1.9 | 35 |
TO-220F |
| IRFR310PBF | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 400 | - | - | - | - | 3600 | 1.7 | 25 |
D-PAK |
| IRFR310 | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 400 | - | - | - | - | 3600 | 1.7 | 25 |
D-PAK |
| IXFA3N80 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 3600 | 3600 | 3600 | 3600 | 3600 | 3.6 | 100 |
|
| FQPF2N60C | 2.0A, 600V N-Channel MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 3600 | 2 | 23 |
TO-220F |
| IXFP3N80 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 3600 | 3600 | 3600 | 3600 | 3600 | 3.6 | 100 |
TO-220 |
| FQP2N60C | 2.0A, 600V N-Channel MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 3600 | 2 | 54 |
TO-220 |
| IRF710SPBF | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 400 | - | - | - | - | 3600 | 2 | 36 |
D2-PAK |
| IRF710S | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 400 | - | - | - | - | 3600 | 2 | 36 |
D2-PAK |
| IRF710PBF | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 400 | - | - | - | - | 3600 | 2 | 36 |
TO-220AB |
| IRF710 | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 400 | - | - | - | - | 3600 | 2 | 36 |
TO-220AB |
| IXTN8N150L | N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1500 | 3600 | 3600 | 3600 | 3600 | 3600 | 7.5 | 700 |
|
| IXTX8N150L | N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1500 | 3600 | 3600 | 3600 | 3600 | 3600 | 8 | 700 |
|
| IXTK8N150L | N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1500 | 3600 | 3600 | 3600 | 3600 | 3600 | 8 | 700 |
|
| FQU2N60C | 600V N-Channel MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 3600 | 1.9 | 7.6 |
|
| IRFD310PBF | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 400 | - | - | - | - | 3600 | 0.35 | 1 |
HEXDIP |
| FQD2N60C | 600V N-Channel MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 3600 | 1.9 | 7.6 |
D-PAK |
| IRFD310 | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 400 | - | - | - | - | 3600 | 0.35 | 1 |
HEXDIP |
| STF3HNK90Z | N-channel 900V - 0.35? - 3A - TO-220FP Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 3500 | 3 | 25 |
|
